[发明专利]Micro LED芯片的转移方法

说明书

本发明公开了一种Micro LED芯片的转移方法。这种Micro LED芯片的转移方法通过UV胶层粘附Micro LED芯片将Micro LED芯片转移至目标基板上，液晶光开关不导通时不透光，导通后透光，UV光通过液晶光开关导通后形成的透光区域照射到UV胶层使得待转移区域的所述UV胶层固化，固化后的UV胶层的膜粘性几乎为0，从而使得固化后的UV胶层无法粘附Micro LED芯片，从而完成了Micro LED芯片的转移。与传统的Micro LED芯片的转移方法相比，这种Micro LED芯片的转移方法转移效率和成功率均较高。

技术领域

本发明涉及Micro LED芯片的加工技术领域，尤其是涉及一种Micro LED芯片的转移方法。

背景技术

Micro LED芯片是新一代显示技术，基于Micro LED芯片的显示屏具有高像素、高色彩饱和度、低功耗、高亮度、快速反应、长寿命等显著优点。Micro LED芯片是将传统的无机LED阵列微小化，每个尺寸在10微米尺寸的LED像素点均可以被独立的定址、点亮。简单的讲，可以看作是小间距LED的尺寸进一步缩小至10微米量级。Micro LED芯片的显示方式十分直接，将10微米尺度的LED芯片连接到TFT驱动基板上，从而实现对每个芯片放光亮度的精确控制，进而实现图像显示。

制作好的Micro LED芯片需要转移到做好驱动电路的基底上，无论是TV还是手机屏，其像素的数量都是相当巨大的，而像素的尺寸又是那么小，并且显示产品对于像素错误的容忍度也是很低的，将这些Micro LED芯片完美地转移到做好驱动电路的衬底上并实现电路连接，这种巨量的Micro LED芯片转移技术转移的效率，成功率都决定着商业化的成功与否。

发明内容

基于此，有必要提供一种转移效率和成功率较高的Micro LED芯片的转移方法。

一种Micro LED芯片的转移方法，包括如下步骤：

将UV胶层和基材层层叠在一起，形成转移载体；

将所述转移载体与待转移的Micro LED芯片贴合，使得所述Micro LED芯片粘附在所述UV胶层上；

将粘附有所述Micro LED芯片的所述转移载体移动至与目标基板贴合，所述MicroLED芯片位于所述转移载体和所述目标基板之间；

在所述转移载体的上方设置液晶光开关层，在所述液晶光开关层的上方设置UV光源，其中，所述液晶光开关层包括多个液晶光开关；

位于待转移区域的所述液晶光开关层内的所述液晶光开关导通后透光，形成透光区域；以及

所述UV光源发出的UV光通过所述透光区域照射到所述UV胶层上，使得位于所述待转移区域的所述UV胶层固化，从而使得位于所述待转移区域的所述Micro LED芯片自所述UV胶层脱落到所述转移载体上，完成转移。

这种Micro LED芯片的转移方法通过UV胶层粘附Micro LED芯片将Micro LED芯片转移至目标基板上，液晶光开关不导通时不透光，导通后透光，UV光通过液晶光开关导通后形成的透光区域照射到UV胶层使得待转移区域的所述UV胶层固化，固化后的UV胶层的膜粘性几乎为0，从而使得固化后的UV胶层无法粘附Micro LED芯片，从而完成了Micro LED芯片的转移。

与传统的Micro LED芯片的转移方法相比，这种Micro LED芯片的转移方法转移效率和成功率均较高。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

其中：