[发明专利]一种晶圆贴膜设备及贴膜方法在审
申请号: | 202110270908.4 | 申请日: | 2021-03-12 |
公开(公告)号: | CN113178403A | 公开(公告)日: | 2021-07-27 |
发明(设计)人: | 蒋志韬;韩佳梅 | 申请(专利权)人: | 苏州遂芯半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 南京中高专利代理有限公司 32333 | 代理人: | 沈雄 |
地址: | 215000 江苏省苏州市昆*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶圆贴膜 设备 方法 | ||
一种晶圆贴膜设备,包括:置放台,用于放置晶圆,晶圆具有轴线;输送单元,用于将贴合膜输送至晶圆上方;以及贴膜单元,包括升降机构和设置在升降机构上的喷阀,喷阀位于贴合膜上方,升降机构可驱动喷阀靠近和远离晶圆;喷阀包括第一出气口和第二出气口,第一出气口的出气方向与轴线相重合,第二出气口环绕设置在第一出气口外围,且其出气方向与轴线具有夹角α,夹角α为锐角。本发明中第一出气口可向晶圆圆心喷出线状气流,第二出气口可喷出环绕于圆心的环状气流,升降机构逐渐上升时,环状气流半径逐渐扩大,实现贴合膜自晶圆的圆心以圆形逐渐向圆周方向扩散的方式来与晶圆贴合,满足复杂结构晶圆贴膜,贴膜后张力均匀,利于后续工艺步骤。
【技术领域】
本发明涉及晶圆贴膜技术领域,特别涉及一种晶圆贴膜设备及贴膜方法。
【背景技术】
晶圆在加工过程中,需要在晶圆具有电路结构的一面贴膜,以保护电路结构。现有技术中,通常会采用贴膜机来对晶圆进行贴膜,其主要采用滚筒施压或者喷阀施压的方式来实现贴合膜与晶圆间的贴合。
当以滚筒作为贴膜动作的载体时,在待贴膜晶圆表面存在特定图案或者有多层结构时,由于存在凹陷的表面,滚筒难以完全覆盖凹陷面,从而使得贴合膜与晶圆间易产生气泡,造成贴合紧密度差;且对上述晶圆而言,滚筒的施压还会产生部分应力,从而导致晶圆的损伤。此外,在贴膜过程中,存在沿滚筒行进方向的正向应力和切向应力,应力不均会造成晶圆的翘曲度增加,特别是对于减薄后的晶圆,其后续的贴合中会造成晶圆的断裂或碎裂。
当以喷阀作为贴膜动作的载体时,喷阀可吹出垂直于膜片表面的气流,以将膜片贴合在晶圆上。采用气流施压方式虽然能够对晶圆凹陷的表面进行贴合,但是在实际工作过程中,由于喷阀采用平移方式自晶圆一侧移动至另一侧,因此在膜片贴合过程中,张力不均,仍有较大几率产生气泡。
因此,有必要对现有技术予以改良以克服现有技术中的所述缺陷。
【发明内容】
本发明的目的在于提供一种晶圆贴膜设备,其采用气流施压方式对晶圆进行贴膜,且在贴合过程中,张力均匀。
本发明的目的是通过以下技术方案实现:一种晶圆贴膜设备,包括:置放台,用于放置晶圆,所述晶圆具有轴线;输送单元,用于将贴合膜输送至所述晶圆上方;以及贴膜单元,包括升降机构和设置在所述升降机构上的喷阀,所述喷阀位于所述贴合膜上方,所述升降机构可驱动所述喷阀靠近和远离所述晶圆;其中,所述喷阀包括供气流喷向所述晶圆的第一出气口和第二出气口,所述第一出气口的出气方向与所述轴线相重合,所述第二出气口环绕设置在所述第一出气口外围,所述第二出气口的出气方向与所述轴线具有夹角α,所述夹角α为锐角。
进一步地,所述喷阀包括阀体和设置在所述阀体内的活塞筒,所述活塞筒内形成有第一气道,所述阀体和所述活塞筒之间形成有第二气道,所述第一气道具有所述第一出气口,所述第二气道具有所述第二出气口。
进一步地,所述阀体上开设有与所述第一气道相连通的第一进气口以及与所述第二气道相连通的第二进气口。
进一步地,所述活塞筒可沿着所述轴线相对所述阀体伸缩,以调节所述第二出气口的开口大小。
进一步地,所述阀体和所述活塞筒之间还形成有密闭的调节腔,所述活塞筒可沿着所述轴线方向移动以扩大和缩小所述调节腔,所述阀体上开设有分别与所述调节腔和外部气路相连通的第三进气口,气流可自所述第三进气口进出所述调节腔,以控制所述调节腔的扩大或收缩。
进一步地,所述活塞筒与所述阀体之间设置有弹性件,以限制所述活塞筒在所述轴线方向上的移动。
进一步地,所述喷阀还包括:第一喷嘴帽,可拆卸连接在所述活塞筒的端部,所述第一出气口成型在所述第一喷嘴帽上;以及第二喷嘴帽,可拆卸连接在所述阀体的端部,并与所述第一喷嘴帽相对应,所述第二喷嘴帽和所述第一喷嘴帽之间形成所述第二出气口。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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