[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括衬底、位于所述衬底上的栅极结构、位于所述栅极结构顶部的金属层、位于所述栅极结构侧部的源漏掺杂层以及覆盖所述源漏掺杂层的层间介质层；

在所述金属层和所述层间介质层上方形成带有凹槽的帽层，所述凹槽至少露出部分所述金属层；

在所述凹槽和所述帽层上形成硬掩膜层，所述硬掩膜层覆盖所述凹槽露出的所述金属层；

刻蚀所述金属层，形成第一开口；

去除所述硬掩膜层；

在所述金属层和所述层间介质层层上方依次形成中间层和氧化物层，所述氧化物层具有第二开口，所述第二开口露出所述中间层；

以所述氧化物层为掩膜，刻蚀所述中间层，形成第三开口；

在所述第三开口中形成栅极插塞，所述栅极插塞的特征尺寸大于所述金属层的特征尺寸。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述凹槽还露出部分所述层间介质层。

3.根据权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述凹槽的宽度大于所述第二开口的宽度。

4.根据权利要求1至3任一项所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述在所述金属层和所述层间介质层上方形成带有凹槽的帽层，所述凹槽至少露出部分所述金属层的步骤，包括：

在所述金属层和所述层间介质层上形成帽层；

在所述帽层上依次形成第一抗反射涂层和第一光刻胶层，所述第一光刻胶层形成露出部分所述第一抗反射涂层的第一图形开口；

以所述第一光刻胶层为掩膜，沿所述第一图形开口依次刻蚀所述第一抗反射涂层和所述帽层，去除部分帽层，形成凹槽，所述凹槽露出部分所述金属层和部分所述层间介质层。

5.根据权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用原子层沉积工艺或化学气相沉积工艺形成所述帽层。

6.根据权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述帽层的材料包括碳氮化硅、氮化硅、氧化硅、碳氧化硅和氮化硼硅中的一种或多种。

7.根据权利要求1至3任一项所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述在所述凹槽和所述帽层上形成硬掩膜层，所述硬掩膜层覆盖所述凹槽露出的所述金属层，包括：

采用原子层沉积工艺或化学气相沉积工艺在所述凹槽内和所述帽层上形成硬掩膜层；

采用平坦化工艺去除所述帽层上的硬掩膜层，使得所述硬掩膜层与所述凹槽的顶部齐平，所述硬掩膜层覆盖所述凹槽露出的所述金属层。

8.根据权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述采用平坦化工艺去除所述帽层上的硬掩膜层之后，还包括：

去除所述帽层。

9.根据权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述硬掩膜层的材料为氮化钛。

10.根据权利要求1至3任一项所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述去除所述硬掩膜层，包括：

采用原子层沉积工艺或化学气相沉积工艺在所述第一开口、所述硬掩膜层以及所述层间介质层上形成盖帽层；

采用平坦化工艺去除所述金属层上的所述盖帽层和硬掩膜层、以及所述第一开口之上和所述层间介质层上的所述盖帽层。

11.根据权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述盖帽层的材料包括碳氮化硅、氮化硅、氧化硅、碳氧化硅和氮化硼硅中的一种或多种。