[发明专利]蒸发器换热组件、换热水箱及晶圆加工设备用温控装置有效

专利信息
申请号: 202110272136.8 申请日: 2021-03-12
公开(公告)号: CN113028684B 公开(公告)日: 2022-12-13
发明(设计)人: 刘紫阳;何文明;胡文达;靳李富;芮守祯;曹小康 申请(专利权)人: 北京京仪自动化装备技术股份有限公司
主分类号: F25B39/02 分类号: F25B39/02;F28F9/00;H01L21/67
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 吴欢燕
地址: 100176 北京市大兴区北*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 蒸发器 组件 水箱 加工 备用 温控 装置
【说明书】:

发明涉及半导体加技术领域或者制冷技术领域,提供一种蒸发器换热组件、换热水箱及晶圆加工设备用温控装置。蒸发器换热组件包括:蒸发器,包括翅片;导流组件,包括位于所述蒸发器相对两侧且上下错位设置的导流槽,位于所述蒸发器相对两侧的所述导流槽之间通过翅片流体连通,以形成经过所述翅片的导流路径。根据本发明实施例的蒸发器换热组件,由于在蒸发器的两侧分别设置有导流槽,且导流槽之间通过翅片流体连通,进而当换热介质进入任意一侧的导流槽中的时候,都会通过翅片进入到另一侧的导流槽中,以形成经过翅片的蜿蜒状导流路径,进而可以极大增加换热介质的流程长度,保证换热介质和蒸发器的外表面充分接触,提高换热效率。

技术领域

本发明涉及半导体加技术领域或者制冷技术领域,尤其涉及蒸发器换热组件、换热水箱及晶圆加工设备用温控装置。

背景技术

刻蚀工艺是半导体晶圆加工中最为重要的工艺之一,在晶圆刻蚀工艺中,需要维持加工腔内环境温度的恒定,所以需要使用专用的温控装置。温控装置用于在晶圆加工台内部通入恒温的循环液,以带走刻蚀过程中产生的热量。在当前刻蚀工艺的发展阶段,目前先进的刻蚀工艺均采用等离子体干法刻蚀,此工艺方法需要在加工台(对应下电极)和加工腔顶部(对应上电极)间产生电场,利用电离后的离子轰击晶圆表面,在物理和化学作用下完成刻蚀过程。电场方向对离子轰击精度至关重要,而下电极内部盘管内流动的循环液,其导电性会引起电场偏转,影响刻蚀的顺利完成。所以温控装置内循环液需要使用专用的极高绝缘性的电子氟化液。

此外,目前刻蚀工艺需求温度最大可达到-40℃-90℃,其温控装置一般采用氟制冷系统进行冷却,利用蒸发器内制冷量调节结合加热器调节实现循环液的高精度控温。温控装置中循环液先进入蒸发器内冷却,使蒸发器出口温度与设置目标温度一致;然后进入水箱;之后由循环泵排出温控装置的水箱,并将恒温的循环液泵入加工腔内。一般水箱内放置加热器,当需要循环液升温时,开启加热器,将循环液温度提高至目标值后关闭加热器。

目前半导体用温控装置,作为循环液的电子氟化液,其导热性能极差,各类电子氟化液在其工作温度范围内,其导热系数均在0.1Wm-1-1以下。为提高蒸发器内换热效率,温控装置的蒸发器均采用钎焊式板式换热器结构。但由于电子氟化液极低的换热系数,蒸发器需要通过增大板片数、循环液侧采用多流程的方式来提供足够的循环液侧换热表面积,保证蒸发器内换热量。其中,当板片数增多时,一方面增加了氟制冷系统的体积,另一方面会导致制冷剂侧的分液不均匀,导致蒸发器换热量下降,影响温控装置的控温效果。板式换热器的结构决定了其两侧介质换热面积比相差不大,即便循环液侧采用多流程结构,两侧介质换热面积比也仅能达到3左右比,无法弥补循环液导热性差带来的片数增多问题。

另外对于晶圆刻蚀工艺周期,加工腔内产生的热负荷在射频装置开启、停止的时间段内变化较大,即温控装置热负荷波动大。其中,低热负荷下制冷剂流量降低,通过增加板片数保证蒸发器内换热效率,其会导致制冷剂在蒸发器内流速过低,压缩机油无法被制冷剂气流带出蒸发器,导致压缩机油在蒸发器内持续积存,这一方面会在蒸发器内换热板片表面产生油膜,影响换热效率,另一方面会引起压缩内缺油故障。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此,本发明提出一种蒸发器换热组件,其可以增加换热介质的流程长度,提高换热效率。

本发明还提出一种换热水箱。

本发明还提出一种晶圆加工设备用温控装置。

根据本发明第一方面实施例的蒸发器换热组件,包括:

蒸发器,包括翅片;

导流组件,包括位于所述蒸发器相对两侧且上下错位设置的导流槽,位于所述蒸发器相对两侧的所述导流槽之间通过翅片流体连通,以形成经过所述翅片的导流路径。

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