[发明专利]焊盘结构的制造方法、体声波谐振器、滤波器及电子设备在审
申请号: | 202110273946.5 | 申请日: | 2021-03-15 |
公开(公告)号: | CN115085682A | 公开(公告)日: | 2022-09-20 |
发明(设计)人: | 温攀;张巍 | 申请(专利权)人: | 诺思(天津)微系统有限责任公司 |
主分类号: | H03H3/02 | 分类号: | H03H3/02;H03H9/13;H03H9/17 |
代理公司: | 北京金诚同达律师事务所 11651 | 代理人: | 汤雄军 |
地址: | 300462 天津市*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 盘结 制造 方法 声波 谐振器 滤波器 电子设备 | ||
本发明涉及一种焊盘结构的制造方法,一种包括该焊盘结构的体声波谐振器,一种包括该谐振器的滤波器以及一种包括该焊盘结构或谐振器或滤波器的电子设备。所述制造方法包括步骤:设置第一光刻胶,所述第一光刻胶包括贯穿其的通道;经由所述通道在所述通道对应的位置设置焊盘,所述焊盘适于覆盖导电层的至少一部分而与导电层电连接;设置第二光刻胶覆盖所述焊盘;和移除第一光刻胶和第二光刻胶以露出焊盘。
技术领域
本发明的实施例涉及半导体领域,尤其涉及一种焊盘结构的制造方法,一种具有该焊盘结构的体声波谐振器,一种具有该谐振器的滤波器,以及一种电子设备。
背景技术
电子器件作为电子设备的基本元素,已经被广泛应用,其应用范围包括移动电话、汽车、家电设备等。此外,未来即将改变世界的人工智能、物联网、5G通讯等技术仍然需要依靠电子器件作为基础。
薄膜体声波谐振器(Film Bulk Acoustic Resonator,简称FBAR,又称为体声波谐振器,也称BAW)作为压电器件的重要成员正在通信领域发挥着重要作用,特别是FBAR滤波器在射频滤波器领域市场占有份额越来越大,FBAR具有尺寸小、谐振频率高、品质因数高、功率容量大、滚降效应好等优良特性,其滤波器正在逐步取代传统的声表面波(SAW)滤波器和陶瓷滤波器,在无线通信射频领域发挥巨大作用,其高灵敏度的优势也能应用到生物、物理、医学等传感领域。
薄膜体声波谐振器的结构主体为由底电极-压电薄膜或压电层-顶电极组成的“三明治”结构,即两层金属电极层之间夹一层压电材料。通过在两电极间输入正弦信号,FBAR利用逆压电效应将输入电信号转换为机械谐振,并且再利用压电效应将机械谐振转换为电信号输出。
对于传统FBAR器件制作金属焊盘前,功能膜层下面通常具有牺牲层,制作完金属焊盘后可以通过湿法刻蚀将牺牲层去除。由于去除牺牲层前功能膜层有支撑,制作金属焊盘时可以用liftoff金属剥离工艺(在金属剥离过程中,需要在剥离液中超声震动及用剥离液以较大的喷洒压力喷洒在光阻上)。但对于一些FBAR器件,例如先通过键合转移衬底、再去除原衬底,由于在键合过程中已经形成了空腔结构,就不需要再制作牺牲层和释放通道(或制作牺牲层及释放孔通道较复杂),从而需寻找新的方法制作焊盘金属。已有的情况是:
1、若用纯湿法刻蚀移除光刻胶的方法,刻蚀后焊盘的形貌较差,如图1所示,容易发生过刻或金属残留异常,其形貌不可控。
2、若用传统工艺方法做光刻、生长金属,然后liftoff金属剥离工艺,则可能出现功能膜层破裂异常的缺陷。
3、若采用纯干法刻蚀工艺,若焊盘金属为Au或Cu,干法刻蚀Au或Cu会产生不易挥发的副产物,阻止反应继续进行,并且干法刻蚀选择比差,容易损伤下层膜层。
因此,现有技术中存在制作焊盘金属的新方法的需要。
发明内容
为缓解或解决现有技术中的上述问题的至少一个方面,提出本发明。
根据本发明的实施例的一个方面,提出了一种焊盘结构的制造方法,包括步骤:
设置第一光刻胶,所述第一光刻胶包括贯穿其的通道;
经由所述通道在所述通道对应的位置设置焊盘,所述焊盘适于覆盖导电层的至少一部分而与导电层电连接;
设置第二光刻胶覆盖所述焊盘;和
移除第一光刻胶和第二光刻胶以露出焊盘。
本发明的实施例还涉及一种体声波谐振器,包括上述方法制作的焊盘结构。
本发明的实施例还涉及一种滤波器,包括上述的体声波谐振器或基于上述方法制造的焊盘结构。
本发明的实施例也涉及一种电子设备,包括上述的滤波器或者上述的谐振器或基于上述方法制造的焊盘结构。
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