[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包含以下步骤：

将晶体管的源极及漏极结构形成于半导体基板中；

将该晶体管的栅极电极形成在该半导体基板上；

将隔离结构形成于该半导体基板中，该隔离结构邻近于该晶体管；

将层间介电质材料沉积在该晶体管及该隔离结构上；

将电容膜堆叠沉积在该层间介电质材料上；

使用干式蚀刻制程蚀刻该电容膜堆叠的第一绝缘材料；以及

使用液体蚀刻制程蚀刻该电容膜堆叠的导电材料。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，将该电容膜堆叠沉积在该层间介电质材料上的步骤进一步包含以下步骤：

将第二蚀刻终止层沉积在该层间介电质材料上，

将该导电材料沉积在该第二蚀刻终止层上，及

将第一蚀刻终止层沉积在该导电材料上，其中该第一蚀刻终止层包含该第一绝缘材料。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，该液体蚀刻制程具有至少16的选择比。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，该液体蚀刻制程包含将含有过氧化氢的蚀刻溶液施加至该导电材料。

5.如权利要求2所述的方法，其特征在于，该液体蚀刻制程包含使该导电材料凹陷低于该第一蚀刻终止层，使得该第一蚀刻终止层的宽度大于该导电材料的宽度。

6.如权利要求2所述的方法，其特征在于，该液体蚀刻制程包含与该第二蚀刻终止层的边缘形成至少85°的该第一蚀刻终止层下面的该导电材料的边缘角度。

7.如权利要求2所述的方法，其特征在于，该液体蚀刻制程包含将蚀刻溶液施加至该导电材料，其中该蚀刻溶液中的该第一蚀刻终止层的蚀刻速率比该蚀刻溶液中的该导电材料的蚀刻速率小至少150倍。

8.如权利要求2所述的方法，其特征在于，该液体蚀刻制程包含将具有小于3的酸碱度的蚀刻溶液施加至该导电材料。

9.一种半导体装置，其特征在于，包含：

晶体管，该晶体管在基板的主动区域中；

隔离结构，该隔离结构在该基板中且邻近于该主动区域；

层间介电质，该层间介电质在该隔离结构及该晶体管上；

第一蚀刻终止层，该第一蚀刻终止层在该层间介电质的顶表面上；

电容板，该电容板在该第一蚀刻终止层上；以及

隔离部分，该隔离部分在该电容板上，其中该隔离部分具有第一宽度，该电容板具有第二宽度，且该第二宽度小于该第一宽度。

10.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包含以下步骤：

将主动区域形成于基板中；

将隔离结构形成于该基板中；

将第一层间介电质材料沉积在该主动区域及该隔离结构上；

将第一蚀刻终止层沉积在该第一层间介电质材料上；

将电容板材料沉积在该第一层间介电质材料上；

将隔离材料沉积在该电容板材料上；

蚀刻该隔离材料以将隔离板材形成在该电容板材料上；

藉由以液体蚀刻制程蚀刻该电容板材料来蚀刻该电容板材料以在该隔离板材下方形成电容板；以及

将第二层间介电质材料沉积在该电容板及该隔离板材上。