[发明专利]金属氧化物TFT及制造方法、x射线探测器和显示面板

权利要求书

1.一种金属氧化物TFT的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

在衬底基板上形成金属氧化物半导体材质的有源层以及层叠在所述有源层上的包括镧系金属元素的功能层；

对所述有源层以及所述功能层进行退火处理，所述功能层中的镧系金属元素扩散至所述有源层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述退火处理的温度为200～450摄氏度，时间为0.5～3小时，气氛包括干燥空气或者氧气。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在衬底基板上形成金属氧化物半导体材质的有源层以及层叠在有源层上的包括镧系金属元素的功能层，包括：

在所述衬底基板上依次形成金属氧化物半导体薄膜和包括镧系金属元素的薄膜；

在所述包括镧系金属元素的薄膜上形成第一光刻胶图案；

通过同一刻蚀液对所述金属氧化物半导体层薄膜以及所述包括镧系金属元素的薄膜进行刻蚀，以形成所述有源层以及层叠在所述有源层上的功能层；

去除所述第一光刻胶图案。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述有源层以及所述功能层进行退火处理之后，所述方法还包括：

对所述功能层进行去除处理。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述对所述功能层进行去除处理，包括：

在形成有所述功能层的衬底基板上形成源漏金属层；

在所述源漏金属层上形成第二光刻胶图案；

对所述源漏金属层以及所述功能层进行刻蚀处理，以使所述源漏金属层形成源漏极，并刻蚀掉所述功能层处于第一区域外的部分，所述第一区域为所述源漏极在所述有源层上的正投影区域，所述源漏极包括源极和漏极。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在衬底基板上形成金属氧化物半导体材质的有源层以及层叠在所述有源层上的包括镧系金属元素的功能层，包括：

在所述衬底基板上形成所述有源层；

在形成有所述有源层的衬底基板上形成包括镧系金属元素的薄膜，所述有源层由顶面、底面以及连接所述顶面和所述底面的侧面围成，所述底面朝向所述衬底基板，所述包括镧系金属元素的薄膜覆盖所述有源层的顶面以及侧面；

所述对所述有源层以及所述功能层进行退火处理，包括：

对所述有源层以及所述包括镧系金属元素的薄膜进行退火处理，以使镧系金属元素从所述包括镧系金属元素的薄膜扩散至所述有源层的顶面以及侧面。

7.根据权利要求1-6任一所述的方法，其特征在于，所述功能层的材料包括镧系金属的单元或多元氧化物。

8.根据权利要求1-6任一所述的方法，其特征在于，所述功能层的材料包括氧化镨、氧化钐、氧化铈、铟锌氧化物、铟锌镨氧化物、铟锌钐氧化物中的一种或多种。

9.一种金属氧化物TFT，其特征在于，所述金属氧化物TFT包括：

位于衬底基板上的金属氧化物半导体的有源层，所述有源层中具有镧系金属元素。

10.根据权利要求9所述的金属氧化物TFT，其特征在于，所述有源层远离所述衬底基板的一面上，指定深度的材料中扩散有所述镧系金属元素。

11.根据权利要求10所述的金属氧化物TFT，其特征在于，所述有源层为单层，为TFT的沟道层，由顶面、底面以及连接所述顶面和所述底面的侧面围成，所述有源层远离所述衬底基板的一面包括所述有源层的顶面以及侧面。

12.根据权利要求10所述的金属氧化物TFT，其特征在于，所述镧系金属元素在所述有源层中单位体积的质量百分比，从所述有源层的顶面沿朝向所述衬底基板的方向逐渐减小。

13.根据权利要求9-12任一所述的金属氧化物TFT，其特征在于，所述镧系金属元素包括镨、钐、铈中的一种或多种。