[发明专利]金属氧化物TFT及制造方法、x射线探测器和显示面板

说明书

本申请公开了一种金属氧化物TFT及制造方法、x射线探测器和显示面板，属于电子技术领域。所述方法包括：在衬底基板上形成金属氧化物半导体材质的有源层以及层叠在有源层上的包括镧系金属元素的功能层后，对有源层以及功能层进行退火处理，功能层中的镧系金属元素扩散至有源层；扩散至有源层中的镧系金属元素可以在有源层中形成陷阱态，有源层受到光照产生的光生电子，可以被该陷阱态捕获，从而改善有源层的光照稳定性。解决了相关技术中金属氧化物TFT的有源层的光稳定性较差的问题，实现了提升金属氧化物TFT中有源层的光稳定性的效果。

技术领域

本申请涉及电子技术领域，特别涉及一种金属氧化物TFT及制造方法、x射线探测器和显示面板。

背景技术

金属氧化物薄膜晶体管(英文：Thin Film Transistor，简写：TFT)是一种可以实现开关功能的器件。

相关技术中有一种金属氧化物TFT的制造方法，该方法包括在衬底基板上通过金属氧化物半导体材料形成有源层。

但是，上述方法制造的金属氧化物TFT中，有源层的光稳定性较差。

发明内容

本申请实施例提供了一种金属氧化物TFT及制造方法、x射线探测器和显示面板。所述技术方案如下：

根据本申请的一方面，提供了一种金属氧化物TFT的制造方法，所述方法包括：

在衬底基板上形成金属氧化物半导体材质的有源层以及层叠在所述有源层上的包括镧系金属元素的功能层；

对所述有源层以及所述功能层进行退火处理，所述功能层中的镧系金属元素扩散至所述有源层。

可选的，所述退火处理的温度为200～450摄氏度，时间为0.5～3小时，气氛包括干燥空气或者氧气。

可选的，所述在衬底基板上形成金属氧化物半导体材质的有源层以及层叠在有源层上的包括镧系金属元素的功能层，包括：

在所述衬底基板上依次形成金属氧化物半导体薄膜和包括镧系金属元素的薄膜；

在所述包括镧系金属元素的薄膜上形成第一光刻胶图案；

通过同一刻蚀液对所述金属氧化物半导体层薄膜以及所述包括镧系金属元素的薄膜进行刻蚀，以形成所述有源层以及层叠在所述有源层上的功能层；

去除所述第一光刻胶图案。

可选的，所述对所述有源层以及所述功能层进行退火处理之后，所述方法还包括，对所述功能层进行去除处理。

可选的，所述对所述功能层进行去除处理，包括：

在形成有所述功能层的衬底基板上形成源漏金属层；

在所述源漏金属层上形成第二光刻胶图案；

对所述源漏金属层以及所述功能层进行刻蚀处理，以使所述源漏金属层形成源漏极，并刻蚀掉所述功能层处于第一区域外的部分，所述第一区域为所述源漏极在所述有源层上的正投影区域，所述源漏极包括源极和漏极。

可选的，所述在衬底基板上形成金属氧化物半导体材质的有源层以及层叠在所述有源层上的包括镧系金属元素的功能层，包括：

在所述衬底基板上形成所述有源层；

在形成有所述有源层的衬底基板上形成包括镧系金属元素的薄膜，所述有源层由顶面、底面以及连接所述顶面和所述底面的侧面围成，所述底面朝向所述衬底基板，所述包括镧系金属元素的薄膜覆盖所述有源层的顶面以及侧面；

所述对所述有源层以及所述功能层进行退火处理，包括：