[发明专利]熔断器用复合熔体及熔断器在审
申请号: | 202110276854.2 | 申请日: | 2021-03-15 |
公开(公告)号: | CN112908801A | 公开(公告)日: | 2021-06-04 |
发明(设计)人: | 段少波;王欣;石晓光;戈西斌 | 申请(专利权)人: | 西安中熔电气股份有限公司 |
主分类号: | H01H85/055 | 分类号: | H01H85/055 |
代理公司: | 西安乾方知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 61259 | 代理人: | 胡思棉 |
地址: | 710077 陕西省西安市雁塔区高新区锦业路*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 熔断 器用 复合 熔断器 | ||
1.熔断器用复合熔体,其特征在于在所述熔体上设置有狭径或冶金效应点,在所述狭径处或冶金效应点处包覆有绝缘保护层。
2.根据权利要求1所述的熔断器用复合熔体,其特征在于当熔体狭径或冶金效应点为多个时,可在每个狭径处或冶金效应点处设置绝缘保护层或将多个狭径或冶金效应点分组,在每组狭径或冶金效应点处设置绝缘保护层。
3.根据权利要求1所述的熔断器用复合熔体,其特征在于所述绝缘保护层包覆在所述熔体狭径或冶金效应点处的外周面上。
4.根据权利要求1至3任一所述的复合熔体制作的熔断器,其特征在于所述复合熔体位于熔断器壳体内,所述复合熔体的两端导电连接位于所述熔断器壳体内的触刀上。
5.根据权利要求4所述的复合熔体制作的熔断器,其特征在于当所述复合熔体密集排布时,所述复合熔体的狭径或冶金效应点错位布置。
6.根据权利要求4所述的复合熔体制作的熔断器,其特征在于所述复合熔体与所述熔断器壳体内壁之间的空隙填充灭弧物质。
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