[发明专利]清洁抛光垫的设备和抛光装置

说明书

本发明涉及清洁抛光垫的设备和抛光装置，一种清洁抛光垫的设备包括：第一气体管嘴，该第一气体管嘴用于将气体喷射到抛光垫的孔；以及第一液体管嘴，该第一液体管嘴用于将液体喷射到抛光垫的孔。

技术领域

本实施例涉及清洁抛光垫的设备和抛光装置。

背景技术

通常，被广泛用作制造半导体装置的材料的晶圆是指由以多晶硅为原材料制成的单晶硅薄板。

这种晶圆包括将多晶硅生长成单晶硅锭、然后将硅锭切割成晶圆形状的切片过程，晶圆的厚度均匀且变平整的研磨过程，去除或减轻由机械抛光引起的损坏的蚀刻过程，使晶圆表面成镜面的抛光过程以及清洁晶圆的清洁过程。

通常，抛光过程是非常重要的过程，因为抛光过程是在晶圆进入装置过程之前最终形成平整度和表面粗糙度的过程。

抛光过程包括用于抛光晶圆的两个面的双面抛光(double-sided polishing，DSP)过程和用于去除晶圆的一个面上的异物的最终抛光(final polishing，FP)过程。

在最终抛光过程中，由载体传送的晶圆在被压在抛光垫上的同时旋转，使得晶圆的表面被机械地变平整，并且同时，执行化学反应的浆料被供给到抛光垫。因此，晶圆的表面使得能够以化学方式变平整。

当然，为了在抛光过程中实现有效的抛光速率，抛光垫的表面粗糙度必须始终保持恒定。

然而，重复执行抛光过程的抛光垫随着其表面粗糙度的减小而逐渐失去抛光功能。为了防止该问题，单独执行用于优化抛光垫的状态的清洁过程。

如图1所示，孔3被设置在抛光垫的表面上，并且异物5或浆料颗粒被填充在孔3中。

在现有技术中，洗涤水从管嘴7喷射到抛光垫1。然而，由于孔3的入口窄，洗涤水不被喷射到孔3中。因此，孔3中的异物5或浆料颗粒不容易被去除，导致清洁不良。

特别地，由于在现有技术中管嘴7相对于抛光垫1垂直地喷射，因此孔3中的异物5或浆料颗粒更难以去除。

发明内容

本实施例旨在解决上述问题和其它问题。

本实施例的另一个目的是提供一种能够改善清洁度的清洁抛光垫的设备和抛光装置。

本实施例的另一个目的是提供一种清洁抛光垫的设备和抛光装置，其中，通过改善清洁度来使晶圆污染最小化。

根据实现上述或其它目的的实施例的一个方面，一种清洁抛光垫的设备包括：第一气体管嘴，该第一气体管嘴用于将气体喷射到抛光垫的孔；以及第一液体管嘴，该第一液体管嘴用于将液体喷射到抛光垫的孔。

根据该实施例的另一个方面，抛光装置包括：台板；抛光垫，该抛光垫被布置在台板上；抛光头，该抛光头被定位在抛光垫上，吸附到抛光垫的下部分并压靠在抛光垫上；浆料喷射管嘴，该浆料喷射管嘴将浆料喷射到抛光垫上；以及清洁抛光垫的设备，其中，清洁抛光垫的设备包括：第一气体管嘴，该第一气体管嘴用于将气体喷射到抛光垫的孔；以及第一液体管嘴，该第一液体管嘴用于将液体喷射到抛光垫的孔。

下面将描述根据本实施例的清洁抛光垫的设备和抛光装置的效果。

根据实施例中的至少一个，通过使用至少一个气体管嘴和液体管嘴可以去除残留在抛光垫的孔中的异物或浆料，从而改善抛光垫的清洁度。

根据实施例中的至少一个，第一液体管嘴和第二液体管嘴沿对角线(diagonal)方向布置以彼此面对，使得从第一液体管嘴和第二液体管嘴中的每一个中喷射的液体对角线地碰撞到抛光垫的孔中。因此，抛光垫的孔中的异物或浆料可由于碰撞而更完全地去除。