[发明专利]一种抗辐射高压ESD半导体器件有效
| 申请号： | 202110279594.4 | 申请日： | 2021-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN113053874B | 公开（公告）日： | 2022-08-02 |
| 发明（设计）人： | 李燕妃;朱少立;王蕾;谢儒彬;顾祥;吴建伟;洪根深;贺琪 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340 | 代理人： | 杨立秋 |
| 地址： | 214000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 辐射 高压 esd 半导体器件 | ||
1.一种抗辐射高压ESD半导体器件，其特征在于，包括埋氧化层(21)、N型阱区(31)、P型阱区(41)、P型漂移区(42)、P型第一重掺杂区(43)、P型第二重掺杂区(44)、P型埋层(45)、N型重掺杂区(32)、阳极金属电极(51)、阴极金属电极(52)；
N型阱区(31)和P型阱区(41)设置于埋氧化层(21)上面，P型第一重掺杂区(43)位于P型阱区(41)顶部，P型埋层(45)设置在P型阱区(41)的底部；P型漂移区(42)同时位于N型阱区(31)和P型阱区(41)的顶部；P型漂移区(42)与P型第一重掺杂区(43)横向相邻；
所述P型第一重掺杂区(43)和所述N型阱区(31)中分别包含一个N型重掺杂区(32)和一个P型第二重掺杂区(44)；所述P型漂移区(42)中包含另一个P型第二重掺杂区(44)；
阳极金属电极(51)设置在P型阱区(41)表面，阴极金属电极(52)设置在N型阱区(31)表面。
2.如权利要求1所述的抗辐射高压ESD半导体器件，其特征在于，所述N型阱区(31)中设置有N型埋层(33)，所述N型埋层(33)位于所述N型阱区(31)底部，且位于所述埋氧化层(21)的上界面处。
3.如权利要求1所述的抗辐射高压ESD半导体器件，其特征在于，所述P型漂移区(42)同时与N型阱区(31)和P型阱区(41)接触。
4.如权利要求1-3任一项所述的抗辐射高压ESD半导体器件，其特征在于，所述抗辐射高压ESD半导体器件还包括P型衬底(11)，位于所述埋氧化层(21)的底部。
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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