[发明专利]记忆体装置有效

专利信息
申请号: 202110280084.9 申请日: 2021-03-16
公开(公告)号: CN112786084B 公开(公告)日: 2023-06-23
发明(设计)人: 吴瑞仁;砂永登志男;蔡修群 申请(专利权)人: 北京时代全芯存储技术股份有限公司
主分类号: G11C7/10 分类号: G11C7/10;G11C7/22;G11C8/04;G11C8/10
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100094 北京市海淀*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 记忆体 装置
【说明书】:

一种记忆体装置,包含记忆体组以及控制电路。记忆体组包含多个记忆体库。控制电路耦接于记忆体组,并包含三态逻辑致能电路以及地址解码电路。三态逻辑致能电路用以暂存多个暂存地址信号,依据同步信号以输出多个暂存地址信号,且解码多个暂存地址信号以产生致能信号,并传送致能信号至多个记忆体库中的一者。地址解码电路用以解码多个暂存地址信号以驱动多个记忆体库中的一者。

技术领域

本揭示中所述实施例内容是有关于一种记忆体装置,特别是关于一种包含共用数据总线的记忆体装置。

背景技术

对于包含多个记忆体组或多个记忆体库的记忆体装置,通常需要共同使用公用数据总线以读取数据。当不同的记忆体组之间的距离太远,且解码器是位于其中一端时,不同的记忆体组之间的致能信号会有较大的时滞,造成输出数据的碰撞。

此外,若是有较多的记忆体库,各个记忆体库之间必须有相对应的致能控制信号,这需要许多解码控制信号线,且需要较大的空间以容纳多条解码控制信号线。

发明内容

本揭示的一些实施方式是关于一种记忆体装置,其特征在于,包含记忆体组以及控制电路。记忆体组包含多个记忆体库。控制电路耦接于记忆体组,并包含三态逻辑致能电路以及地址解码电路。三态逻辑致能电路用以暂存多个暂存地址信号,依据同步信号以输出多个暂存地址信号,且解码多个暂存地址信号以产生致能信号,并传送致能信号至多个记忆体库中的一者。地址解码电路用以解码多个暂存地址信号以驱动多个记忆体库中的一者。

于部分实施例中,该三态逻辑致能电路是以一先进先出方式输出这些暂存地址信号。

于部分实施例中,该三态逻辑致能电路包含第一序列电路以及第二序列电路。第一序列电路用以依据该同步信号以及一读取信号以产生多个指示信号。第二序列电路用以依据这些指示信号、该同步信号以及该读取信号以储存并输出这些暂存地址信号,其中该第二序列电路包含三态逻辑致能解码电路,三态逻辑致能解码电路用以依据这些暂存地址信号以产生该致能信号。

于部分实施例中,当该第一序列电路以及该第二序列电路接收该读取信号时,该第二序列电路储存这些暂存地址信号;其中当该第一序列电路以及该第二序列电路接收该同步信号时,该第二序列电路输出这些暂存地址信号。

于部分实施例中,该第一序列电路包含:一第一正反器序列,包含多个D正反器,其中这些D正反器的一第一D正反器包含:一输出端,用以输出这些指示信号中的一第一指示信号;一第一输入端,用以接收这些D正反器中的一第二D正反器所输出的这些指示信号中的一第二指示信号或这些D正反器中的一第三D正反器所输出的这些指示信号中的一第三指示信号,其中该第一正反器串接于该第二正反器与该第三正反器之间;一第二输入端,用以接收该读取信号与该同步信号中的其中一者;以及一第三输入端,用以接收一预设信号。

于部分实施例中,该第一D正反器的该第二输入端连接于一或门,该或门包含:一第一输入端,用以接收该同步信号;一第二输入端,用以接收该读取信号;以及一输出端,用以输出该同步信号或该读取信号至该第一D正反器的该第二输入端。

于部分实施例中,该第一D正反器的该第一输入端连接于一选择器,该选择器包含:一控制端,用以接收一选择信号;一第一输入端,用以接收该第二指示信号;以及一第二输入端,用以接收该第三指示信号。

于部分实施例中,该第一序列电路还包含:一与非门(NAND)电路,包含:一第一输入端,用以接收该同步信号;一第二输入端,用以接收该读取信号;以及一输出端,用以输出该选择信号。

于部分实施例中,该第二序列电路还包含多个正反器序列,其中这些正反器序列中的一第一正反器序列包含:多个D正反器,其中这些D正反器中的一第一D正反器包含:一输出端,用以输出这些暂存地址信号中的一第一暂存地址信号;一第一输入端,用以接收多个输入地址信号中的一者;一第二输入端,用以接收这些D正反器中的一第二D正反器所输出的这些暂存地址信号中的一第二暂存地址信号;以及一第三输入端,用以接收该同步信号。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京时代全芯存储技术股份有限公司,未经北京时代全芯存储技术股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110280084.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top