[发明专利]一种高性能碳化硅半导体场效应晶体管结构

权利要求书

1.一种高性能碳化硅半导体场效应晶体管结构，包括场效应晶体管本体，其特征在于，所述场效应晶体管本体包括场效应晶体管底座（1）和场效应晶体管外腔（2），所述场效应晶体管外腔（2）内扣在场效应晶体管底座（1）的顶面上，所述场效应晶体管底座（1）与场效应晶体管外腔（2）之间设置有若干组走线架（3），所述场效应晶体管底座（1）的一侧开设有三个转动槽（102），三个所述转动槽（102）的内部分别设置有铰轴一（108），所述铰轴一（108）上转动连接有T型连接架（107），所述场效应晶体管底座（1）的一侧通过三个所述T型连接架（107）分别设置有晶体管集电极（103）、晶体管基极（104）和晶体管发射极（105）；

所述场效应晶体管底座（1）的顶面上开设有供场效应晶体管外腔（2）架设的内凹槽（101），所述内凹槽（101）左侧内壁的中间位置开设有卡槽（112），所述内凹槽（101）右侧内壁的两端位置开设有固定槽（113），所述场效应晶体管外腔（2）与内凹槽（101）镶嵌的左端面上开设有内凹的镂空槽（207），所述镂空槽（207）内部上下两侧水平设置有导向杆（208），所述导向杆（208）上滑动连接有导向块（209），所述导向块（209）的右侧端面上设置有弹簧（210），所述弹簧（210）的另一端与镂空槽（207）的内壁相抵，所述导向块（209）的左侧端面上设置有与卡槽（112）相适配的卡块（211），所述卡块（211）的纵向两侧面上分别设置有销轴（212）；

所述场效应晶体管外腔（2）的顶面左端开设有矩形槽口（201），所述矩形槽口（201）的内部设置有铰轴二（203），所述铰轴二（203）上转动连接有转动环（204），所述转动环（204）上分别连接有把手（202）和连接板（205），所述把手（202）和连接板（205）在转动环（204）上呈V型结构，所述连接板（205）的底端开设有U型槽口，所述连接板（205）的U型槽口两侧壁上开设有导向槽（206），所述连接板（205）两侧的导向槽（206）卡接在卡块（211）两侧的销轴（212）上，所述场效应晶体管外腔（2）的右端面两端位置开设有与固定槽（113）相适配的固定块，所述场效应晶体管外腔（2）右端面的固定块插接在场效应晶体管底座（1）的固定槽（113）内。

2.根据权利要求1所述的一种高性能碳化硅半导体场效应晶体管结构，其特征在于，所述卡块（211）内嵌在场效应晶体管底座（1）的卡槽（112）内时，把手（202）在矩形槽口（201）内部位于水平状态。

3.根据权利要求1所述的一种高性能碳化硅半导体场效应晶体管结构，其特征在于，所述走线架（3）包括若干条设置在场效应晶体管底座（1）内凹槽（101）内的走线板，所述内凹槽（101）内部底面上开设有若干条条形槽（114），所述走线板通过底面的限位块卡接在条形槽（114）内，所述走线板上等距开设有若干个走线槽（301），所述走线槽（301）的两侧开设有定位孔（302），所述走线槽（301）的上方设置有限位条（303），所述限位条（303）底面两端设置有与定位孔（302）相适配的定位胶头（304），所述限位条（303）通过定位胶头（304）卡接在定位孔（302）内。

4.根据权利要求3所述的一种高性能碳化硅半导体场效应晶体管结构，其特征在于，所述走线槽（301）的左端在竖直方向上投影面积呈喇叭状结构，且开口左端大、右端小。

5.根据权利要求3所述的一种高性能碳化硅半导体场效应晶体管结构，其特征在于，所述场效应晶体管外腔（2）的底面上固定设置有软胶板（213），所述软胶板（213）与限位条（303）的相抵。