[发明专利]一种高性能碳化硅半导体场效应晶体管结构

说明书

本发明公开了一种高性能碳化硅半导体场效应晶体管结构，包括场效应晶体管本体，所述场效应晶体管本体包括场效应晶体管底座和场效应晶体管外腔，所述场效应晶体管外腔内扣在场效应晶体管底座的顶面上，所述场效应晶体管底座与场效应晶体管外腔之间设置有若干组走线架，所述场效应晶体管底座的一侧开设有三个转动槽，三个所述转动槽的内部分别设置有铰轴一，所述铰轴一上转动连接有T型连接架，通过在走线板上开设有走线槽，将走线槽设置成左端开口大、右端开口小的喇叭状结构，使走线槽能够实现对多根导线进行整合安装，使场效应晶体管本体内部结构组装更加合理，降低场效应晶体管底座本体的故障率，提高场效应晶体管底座本体的使用寿命。

技术领域

本发明属于电子元器件技术领域，具体是一种高性能碳化硅半导体场效应晶体管结构。

背景技术

晶体管(transistor)是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能，晶体管作为一种可变开关，基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可做为电流的开关，和一般机械开关(如Relay、switch)不同处在于晶体管是利用电讯号来控制，而且开关速度可以非常之快，在实验室中的切换速度可达100GHz以上，严格意义上讲，晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一元件，包括各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应管、可控硅等，晶体管有时多指晶体三极管，晶体管主要分为两大类：双极性晶体管(BJT)和场效应晶体管(FET)。

现有的高性能碳化硅半导体场效应晶体管结构在使用过程中存在以下不足：

1、现有的高性能碳化硅半导体场效应晶体管结构的晶体管的电极硬度较低，在使用过程中容易将电极压弯或者碰断，造成高性能碳化硅半导体场效应晶体管的损坏；

2、现有的高性能碳化硅半导体场效应晶体管结构在使用过程中，当高性能碳化硅半导体场效应晶体管结构内部发生故障时，维修不便；

3、现有的高性能碳化硅半导体场效应晶体管结构内部走线无固定，布线不合理会导致电线交错的缠绕在一起，容易造成高性能碳化硅半导体场效应晶体管结构的毁坏。

发明内容

本发明的目的在于提供一种高性能碳化硅半导体场效应晶体管结构，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种高性能碳化硅半导体场效应晶体管结构，包括场效应晶体管本体，所述场效应晶体管本体包括场效应晶体管底座和场效应晶体管外腔，所述场效应晶体管外腔内扣在场效应晶体管底座的顶面上，所述场效应晶体管底座与场效应晶体管外腔之间设置有若干组走线架，所述场效应晶体管底座的一侧开设有三个转动槽，三个所述转动槽的内部分别设置有铰轴一，所述铰轴一上转动连接有T型连接架，所述场效应晶体管底座的一侧通过三个所述T型连接架分别设置有晶体管集电极、晶体管基极和晶体管发射极。

作为本发明再进一步的方案：所述场效应晶体管底座的顶面上开设有供场效应晶体管外腔架设的内凹槽，所述内凹槽左侧内壁的中间位置开设有卡槽，所述内凹槽右侧内壁的两端位置开设有固定槽，所述场效应晶体管外腔与内凹槽镶嵌的左端面上开设有内凹的镂空槽，所述镂空槽内部上下两侧水平设置有导向杆，所述导向杆上滑动连接有导向块，所述导向块的右侧端面上设置有弹簧，所述弹簧的另一端与镂空槽的内壁相抵，所述导向块的左侧端面上设置有与卡槽相适配的卡块，所述卡块的纵向两侧面上分别设置有销轴；

所述场效应晶体管外腔的顶面左端开设有矩形槽口，所述矩形槽口的内部设置有铰轴二，所述铰轴二上转动连接有转动环，所述转动环上分别连接有把手和连接板，所述把手和连接板在转动环上呈V型结构，所述连接板的底端开设有U型槽口，所述连接板的U型槽口两侧壁上开设有导向槽，所述连接板两侧的导向槽卡接在卡块两侧的销轴上，所述场效应晶体管外腔的右端面两端位置开设有与固定槽相适配的固定块，所述场效应晶体管外腔右端面的固定块插接在场效应晶体管底座的固定槽内。