[发明专利]发光二极管外延片制备方法有效
| 申请号： | 202110282376.6 | 申请日： | 2021-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN113193083B | 公开（公告）日： | 2023-05-09 |
| 发明（设计）人： | 洪威威;王倩;董彬忠;梅劲 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;C23C16/30;C23C16/455;C23C16/52 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 外延 制备 方法 | ||
1.一种发光二极管外延片制备方法，其特征在于，所述发光二极管外延片制备方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上生长n型GaN层；
在所述n型GaN层上交替生长GaN垒层与阱层，以形成多量子阱层；
其中，生长所述多量子阱层中的各个所述阱层，包括：
生长第一InGaN子层；
向反应腔通入时长为第一设定时长的氨气；
生长InN子层；
向所述反应腔通入时长为第二设定时长的氨气；
生长第二InGaN子层；
向所述反应腔通入时长为第三设定时长的氨气；
生长第三InGaN子层，以形成所述阱层；
其中，所述向反应腔通入时长为所述第一设定时长的氨气、所述第二设定时长的氨气、以及所述第三设定时长的氨气时，所述第一InGaN子层、所述InN子层以及所述第二InGaN子层生长完成。
2.根据权利要求1所述的发光二极管外延片制备方法，其特征在于，所述第一设定时长小于或者等于所述第二设定时长。
3.根据权利要求1所述的发光二极管外延片制备方法，其特征在于，所述第二设定时长小于或者等于所述第三设定时长。
4.根据权利要求1～3任一项所述的发光二极管外延片制备方法，其特征在于，所述第一设定时长、所述第二设定时长与所述第三设定时长均为5～30s。
5.根据权利要求1～3任一项所述的发光二极管外延片制备方法，其特征在于，向所述反应腔通入时长为第一设定时长的氨气的流量，等于向所述反应腔通入时长为第二设定时长的氨气的流量。
6.根据权利要求1～3任一项所述的发光二极管外延片制备方法，其特征在于，向反应腔通入时长为第二设定时长的氨气的流量，等于向所述反应腔通入时长为第三设定时长的氨气的流量。
7.根据权利要求1～3任一项所述的发光二极管外延片制备方法，其特征在于，向反应腔通入时长为第一设定时长的氨气的流量，与向所述反应腔通入时长为第二设定时长的氨气的流量，以及向反应腔通入时长为第三设定时长的氨气的流量范围为100～300sccm。
8.根据权利要求1～3任一项所述的发光二极管外延片制备方法，其特征在于，所述第一InGaN子层的厚度大于所述InN子层的厚度，所述第一InGaN子层的厚度小于所述第二InGaN子层的厚度，所述第一InGaN子层的厚度等于所述第三InGaN子层的厚度。
9.根据权利要求1～3任一项所述的发光二极管外延片制备方法，其特征在于，所述第一InGaN子层的生长温度随所述第一InGaN子层的生长时间的增加而降低，所述第三InGaN子层的生长温度随所述第三InGaN子层的生长时间的增加而升高。
10.根据权利要求1～3任一项所述的发光二极管外延片制备方法，其特征在于，所述第一InGaN子层的生长温度的升高范围为10～50℃，所述第三InGaN子层的生长温度的降低范围为10～50℃。
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