[发明专利]发光二极管外延片制备方法

说明书

本公开提供了一种发光二极管外延片制备方法，属于发光二极管技术领域。生长多量子阱层中的各个阱层，在n型GaN层依次生长第一InGaN子层、InN子层、第二InGaN子层与第三InGaN子，在每两个子层之间，均通入一段时间的氨气。氨气提高阱层中的N和In的比，减小In在界面存在的析出的可能性，以提高阱层的内部质量。氨气导致的富N环境可以减少In元素的析出，有效减少In富集或者团簇的概率，提高In元素分布的均匀度以提高发光二极管的发光均匀度。同时氨气与杂质碳反映转化为气体排出反应腔，减小阱层中会残留的杂质碳以提高阱层的晶体质量，阱层的晶体质量的提高进一步会带来发光二极管发光效率的提高。

技术领域

本公开涉及到了发光二极管技术领域，特别涉及到一种发光二极管外延片制备方法。

背景技术

发光二极管是一种应用非常广泛的发光器件，常用于通信号灯、汽车内外灯、城市照明和景观照明等，发光二极管外延片则是用于制备发光二极管的基础结构。发光二极管外延片通常包括衬底及衬底上依次层叠的GaN缓冲层、非掺杂GaN层、n型GaN层、多量子阱层及p型GaN层，多量子阱层包括交替层叠的GaN垒层与InGaN阱层。

多量子阱层中GaN垒层与InGaN阱层交替生长时，一方面存在晶格失配，容易导致多量子阱层中存在较多缺陷，影响发光二极管的发光效率。另一方面，InGaN阱层中的In组分容易析出并团簇，In组分不能较为均匀地分布在多量子阱层中，也会影响多量子阱层的发光均匀度。

发明内容

本公开实施例提供了一种发光二极管外延片制备方法，可以提高发光二极管外延片的发光效率与发光均匀度。所述技术方案如下：

本公开实施例提供了一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片制备方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底上生长n型GaN层；

在所述n型GaN层上交替生长GaN垒层与阱层，以形成多量子阱层；

在所述多量子阱层上生长p型GaN层；

其中，生长所述多量子阱层中的各个所述阱层，包括：

生长第一InGaN子层；

向反应腔通入时长为第一设定时长的氨气；

生长InN子层；

向所述反应腔通入时长为第二设定时长的氨气；

生长第二InGaN子层；

向所述反应腔通入时长为第三设定时长的氨气；

生长第三InGaN子层，以形成所述阱层。

可选地，所述第一设定时长小于或者等于所述第二设定时长。

可选地，所述第二设定时长小于或者等于所述第三设定时长。

可选地，所述第一设定时长、所述第二设定时长与所述第三设定时长均为5～30s。

可选地，向所述反应腔通入时长为第一设定时长的氨气的流量，等于向所述反应腔通入时长为第二设定时长的氨气的流量。

可选地，向反应腔通入时长为第二设定时长的氨气的流量，等于向所述反应腔通入时长为第三设定时长的氨气的流量。

可选地，向反应腔通入时长为第一设定时长的氨气的流量，与向所述反应腔通入时长为第二设定时长的氨气的流量，以及向反应腔通入时长为第三设定时长的氨气的流量范围为100～300sccm。

可选地，所述第一InGaN子层的厚度大于所述InN子层的厚度，所述第一InGaN子层的厚度小于所述第二InGaN子层的厚度，所述第一InGaN子层的厚度等于所述第三InGaN子层的厚度。