[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一晶体管结构；

第一互连结构，位于所述第一晶体管结构的前侧上；以及

第二互连结构，位于第一晶体管结构的背侧上，所述第二互连结构包括：

第一介电层，位于所述第一晶体管结构的所述背侧上；

接触件，延伸穿过所述第一介电层至所述第一晶体管结构的源极/漏极区；以及

第一间隔件，在所述接触件和所述第一介电层之间沿所述接触件的侧壁，其中，面对所述第一介电层的所述第一间隔件的侧壁与所述第一晶体管结构的所述源极/漏极区的侧壁对准。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

第二介电层，包围所述源极/漏极区；以及

气隙，位于所述第二介电层中。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第二介电层包括低介电常数材料。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述第一介电层包括低介电常数材料，以及其中所述第一介电层和所述第二介电层围绕所述气隙。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二互连结构还包括电连接到所述接触件的电源轨。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二互连结构还包括第二介电层，所述第二介电层包括与所述第一介电层的表面齐平的表面，所述第二介电层具有与所述第一晶体管结构的纳米结构的侧壁对准的侧壁。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，还包括第二间隔件，所述第二间隔件在所述第二介电层和所述第一介电层之间沿所述第二介电层的侧壁，其中面对所述第一介电层的所述第二间隔件的侧壁与所述第一晶体管结构的栅极结构的端面对准。

8.一种半导体器件，包括：

第一晶体管结构，所述第一晶体管结构包括第一纳米结构、包围所述第一纳米结构的第一栅极结构，以及邻近所述第一栅极结构的第一源极/漏极区；

第一互连结构，位于所述第一晶体管结构的前侧上；以及

第二互连结构，位于所述第一晶体管结构的背侧上，所述第二互连结构包括：

第一介电层，位于在所述第一晶体管结构的所述背侧上；以及

第一间隔件，延伸穿过所述第一介电层，所述第一间隔件的第一侧壁与所述第一栅极结构的第一端面对准。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，还包括延伸穿过所述第一介电层的第二间隔件，所述第二间隔件的第二侧壁与所述第一源极/漏极区的侧壁对准。

10.一种形成半导体器件的方法，包括：

在第一半导体衬底上形成晶体管结构；

减薄所述半导体衬底以暴露鳍；

在减薄所述半导体衬底之后，沿所述鳍的侧壁形成第一间隔件；

使用所述第一间隔件作为掩模蚀刻所述晶体管结构的源极/漏极区；以及

邻近所述源极/漏极区形成第一层间电介质。