[发明专利]半导体器件及其形成方法

说明书

公开了在半导体器件的源极/漏极区和栅极结构上执行背侧蚀刻工艺的方法以及通过该方法形成的半导体器件。在实施例中，半导体器件包含：第一晶体管结构；在第一晶体管结构的前侧上的第一互连结构；以及在第一晶体管结构的背侧上的第二互连结构，该第二互连结构包含：在第一晶体管结构的背侧上的第一介电层；延伸穿过第一介电层至第一晶体管结构的源极/漏极区的接触件；以及在接触件与第一介电层之间沿接触件侧壁的第一间隔件，面对第一介电层的该第一间隔件的侧壁与第一晶体管结构的源极/漏极区的侧壁对准。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。

技术领域

本申请的实施例涉及半导体器件及其形成方法。

背景技术

半导体器件用于各种电子设备中，诸如，例如个人计算机、手机、数码相机和其他电子设备等。半导体器件通常通过在半导体衬底上方依次沉积绝缘或介电层材料、导电层材料以及半导体层材料，并使用光刻图案化各材料层以形成其中的电路组件和元件的方法来制造。

半导体行业通过不断减小最小部件尺寸以提高各电子元件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，从而能让更多的组件集成到给定区域内。然而，随着最小部件尺寸的减小，出现了应解决的附加问题。

发明内容

本申请的一些实施例提供了一种半导体器件，包括：第一晶体管结构；第一互连结构，位于所述第一晶体管结构的前侧上；以及第二互连结构，位于第一晶体管结构的背侧上，所述第二互连结构包括：第一介电层，位于所述第一晶体管结构的所述背侧上；接触件，延伸穿过所述第一介电层至所述第一晶体管结构的源极/漏极区；以及第一间隔件，在所述接触件和所述第一介电层之间沿所述接触件的侧壁，其中，面对所述第一介电层的所述第一间隔件的侧壁与所述第一晶体管结构的所述源极/漏极区的侧壁对准。

本申请的另一些实施例提供了一种半导体器件，包括：第一晶体管结构，所述第一晶体管结构包括第一纳米结构、包围所述第一纳米结构的第一栅极结构，以及邻近所述第一栅极结构的第一源极/漏极区；第一互连结构，位于所述第一晶体管结构的前侧上；以及第二互连结构，位于所述第一晶体管结构的背侧上，所述第二互连结构包括：第一介电层，位于在所述第一晶体管结构的所述背侧上；以及第一间隔件，延伸穿过所述第一介电层，所述第一间隔件的第一侧壁与所述第一栅极结构的第一端面对准。

本申请的又一些实施例提供了一种形成半导体器件的方法，包括：在第一半导体衬底上形成晶体管结构；减薄所述半导体衬底以暴露鳍；在减薄所述半导体衬底之后，沿所述鳍的侧壁形成第一间隔件；使用所述第一间隔件作为掩模蚀刻所述晶体管结构的源极/漏极区；以及邻近所述源极/漏极区形成第一层间电介质。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1示出了根据一些实施例的纳米结构场效应晶体管(纳米FET)的示例性三维视图。