[发明专利]显示面板残影风险评估方法及显示面板

权利要求书

1.一种显示面板残影风险评估方法，其特征在于，包括：

提供一显示面板，所述显示面板包括液晶；

检测所述液晶的介电系数；

在所述液晶的介电系数小于或等于介电阈值时，判定所述显示面板存在残影风险。

2.根据权利要求1所述的显示面板残影风险评估方法，其特征在于，所述在所述液晶的介电系数小于或等于介电阈值时，判定所述显示面板存在残影风险的步骤，包括：

当所述液晶的介电系数小于或等于负3时；

判定所述显示面板存在残影风险。

3.根据权利要求1所述的显示面板残影风险评估方法，其特征在于，所述在所述液晶的介电系数小于或等于介电阈值时，判定所述显示面板存在残影风险的步骤，还包括：

当所述液晶的介电系数大于负3时；

判定所述显示面板无残影风险。

4.根据权利要求1所述的显示面板残影风险评估方法，其特征在于，所述在所述液晶的介电系数小于或等于介电阈值时，判定所述显示面板存在残影风险的步骤，还包括：

当所述液晶的介电系数小于或等于介电阈值时；

判定所述液晶中存在具有下列通式的至少其中之一的高极性分子，所述通式包括：

其中，n为大于或等于1的整数；

判定所述显示面板存在残影风险。

5.根据权利要求1所述的显示面板残影风险评估方法，其特征在于，所述显示面板还包括第一基板和第二基板，所述液晶位于所述第一基板和所述第二基板之间；

所述检测所述液晶的介电系数的步骤，包括：

检测所述显示面板未设置所述液晶时，所述第一基板与所述第二基板之间的空盒电容；

检测所述液晶在未偏转状态时，所述第一基板与所述第二基板之间的第一介质电容；

检测所述液晶在偏转状态时，所述第一基板与所述第二基板之间的第二介质电容；

根据所述第一介质电容与所述空盒电容的比值，确定第一介电参量；

根据所述第二介质电容与所述空盒电容的比值，确定第二介电参量；

根据所述第二介电参量与所述第一介电参量的差值，确定所述介电系数。

6.一种显示面板残影风险评估方法，其特征在于，包括：

提供一显示面板，所述显示面板包括液晶；

检测所述液晶的成分；

在所述液晶中存在具有下列通式的至少其中之一的分子时，判定所述显示面板存在残影风险，所述通式包括：

其中，n为大于或等于1的整数。

7.根据权利要求6所述的显示面板残影风险评估方法，其特征在于，所述检测所述液晶的成分的步骤，包括：

在预设温度下，使所述液晶蒸发，形成液晶气体；

通过质谱仪分析所述液晶气体的成分；

通过所述液晶气体的成分，确定所述液晶的成分。

8.一种显示面板，其特征在于，包括：

第一基板；

第二基板，与所述第一基板相对设置；

液晶，设置于所述第一基板与所述第二基板之间，所述液晶的介电系数大于介电阈值。

9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述介电阈值为负3。

10.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述第一基板包括薄膜晶体管阵列层，所述第二基板包括彩色滤光层；

所述显示面板还包括设置于所述第一基板的远离所述液晶层一侧的背光模组。