[发明专利]集成电路结构、器件和计算机实现的方法

权利要求书

1.一种集成电路结构，包括：

电路，包括具有第一多个电子组件的第一级和具有第二多个电子组件的第二级；

第一行，包括位于所述第一行的顶部内的所述第一多个电子组件的第一电子组件；

第二行，堆叠在所述第一行下方，其中，所述第二多个电子组件的第一电子组件位于所述第一行的底部和所述第二行的顶部内，并且跨越所述第一行和所述第二行之间的边界；以及

第三行，堆叠在所述第二行下方，其中，所述第二多个电子组件的第二电子组件位于所述第三行的顶部和所述第二行的底部内，并且跨越所述第二行和所述第三行之间的边界，并且其中，所述第一多个电子组件的第二电子组件位于所述第三行的底部内。

2.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述第一级和所述第二级是耦合在一起的逻辑门，所述第一级的输出是所述第二级的输入，并且所述第一级的物理尺寸小于所述第二级的物理尺寸。

3.根据权利要求1所述的集成电路结构，还包括跨越所述第一行的底部、所述第二行的顶部和底部以及所述第三行的顶部的多晶硅互连件，其中，所述多晶硅互连件将所述第二级的所述第二多个电子组件耦合在一起。

4.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述第一级和所述第二级中的每个包括反相器、与门、与非门或者或门中的至少一个。

5.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述第一多个电子组件或所述第二多个电子组件包括平面晶体管。

6.根据权利要求1所述的集成电路结构，还包括：

第一电源轨和第一接地轨，在所述第一行的顶部外边界和底部外边界处围绕所述第一行，其中，所述第一接地轨位于所述第一行和所述第二行之间的边界处；以及

第二电源轨和第二接地轨，在所述第三行的顶部外边界和底部外边界处围绕所述第三行，其中，所述第二电源轨位于所述第二行和所述第三行之间的边界处。

7.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述第一多个电子组件或所述第二多个电子组件包括具有多个鳍的鳍式场效应晶体管，并且其中，所述第一级的鳍的数量小于所述第二级的鳍的数量。

8.根据权利要求7所述的集成电路结构，还包括：

所述第一行内的所述第一多个电子组件的第三电子组件，其中，所述第一多个电子组件的第一电子组件定向在所述第一行的第一支脚中，并且所述第一多个电子组件的所述第三电子组件定向在所述第一行的第二支脚中；以及

所述第三行内的所述第一多个电子组件的第四电子组件，其中，所述第一多个电子组件的第二电子组件定向在所述第三行的第一支脚中，并且所述第一多个电子组件的所述第四电子组件定向在所述第三行的第二支脚中。

9.一种集成电路器件，包括：

第一逻辑门，形成在多行结构的第一部分和所述多行结构的第四部分内；以及

第二逻辑门，形成在所述多行结构的第二部分和所述多行结构的第三部分内，

其中：

所述第一部分和部分所述第二部分形成第一行，

所述第二部分的另一部分和所述第三部分的部分形成第二行，

所述第三部分的另一部分和所述第四部分形成第三行，并且

所述第一行、所述第二行和所述第三行堆叠在彼此的顶部上以形成所述多行结构。

10.一种限定包括多个堆叠的行的电路布局的计算机实现的方法，所述计算机实现的方法包括：

在单元库内限定包括第一P阱和第一N阱的第一行，所述单元库包括具有所述多个堆叠的行的堆叠三重高度单元，其中，在所述第一N阱中形成第一电子组件的P器件；

在所述单元库内限定所述第一行下方的第二行，所述第二行包括第二P阱和第二N阱，其中，在所述第一P阱和所述第二P阱内形成第二电子组件的N器件；

在所述单元库内限定所述第二行下方的第三行，所述第三行包括第三P阱和第三N阱，其中，所述第二电子组件的P器件形成在所述第二N阱和所述第三N阱内，并且所述第一电子组件的N器件形成在所述第三P阱内；以及

使用电子放置工具，生成电路布局，所述电路布局具有堆叠在彼此的顶部上的所述第一行、所述第二行和所述第三行。