[发明专利]多射束用的消隐装置以及多带电粒子束描绘装置在审
申请号: | 202110284684.2 | 申请日: | 2021-03-17 |
公开(公告)号: | CN113495434A | 公开(公告)日: | 2021-10-12 |
发明(设计)人: | 山下浩;五岛嘉国;森田博文;松本裕史 | 申请(专利权)人: | 纽富来科技股份有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 牛玉婷 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 多射束用 装置 以及 带电 粒子束 描绘 | ||
1.一种消隐装置,其为多射束用的消隐装置,其特征在于,该消隐装置具备:
半导体基板;
绝缘膜,设于所述半导体基板上;
防带电膜,设于所述绝缘膜上;
多个单元,分别具有消隐电极和接地电极,该消隐电极和接地电极与形成于所述半导体基板和所述绝缘膜的贯通孔对应地设置在该绝缘膜上;以及
接地布线,设于所述绝缘膜中,
所述防带电膜与所述接地布线通过连接部而连接,该连接部贯通所述接地布线上的所述绝缘膜而形成。
2.如权利要求1所述的消隐装置,其特征在于,
所述连接部按每个所述单元而设置。
3.如权利要求2所述的消隐装置,其特征在于,
所述连接部按每个所述单元而设置多个。
4.如权利要求1所述的消隐装置,其特征在于,
所述连接部具有所述防带电膜,所述防带电膜形成于在所述绝缘膜设置的开口部。
5.如权利要求4所述的消隐装置,其特征在于,
所述连接部具有所述防带电膜,所述防带电膜设于所述开口部的侧壁以及所述接地布线的表面。
6.如权利要求1所述的消隐装置,其特征在于,
在所述连接部中,所述防带电膜与所述接地布线经由埋入于所述绝缘膜的导体而被连接。
7.如权利要求1所述的消隐装置,其特征在于,
邻接的单元的所述接地电极连结而成为线状的接地电极。
8.如权利要求1所述的消隐装置,其特征在于,
所述接地电极的俯视形状为L字状。
9.如权利要求1所述的消隐装置,其特征在于,
邻接的多个单元的所述接地电极连结而成为格子状的接地电极,在被该接地电极包围的区域内,设有一个单元的所述消隐电极、所述贯通孔以及所述连接部。
10.如权利要求1所述的消隐装置,其特征在于,
所述防带电膜的电阻比所述消隐电极以及所述接地电极的电阻高、且比所述绝缘膜的电阻低。
11.一种多带电粒子束描绘装置,具备:
工作台,载置对象物,且能够移动;
权利要求1所述的消隐装置,对所生成的荷电粒子的多射束分别单独地进行射束的接通/切断控制;以及
偏转器,以使通过了所述消隐装置的各射束照射到所述对象物上的各个照射位置的方式,将各射束集中偏转。
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