[发明专利]多射束用的消隐装置以及多带电粒子束描绘装置

说明书

本发明提供一种能够防止在防带电膜上产生局部的带电以及电位梯度，并提高描绘精度的多射束用的消隐装置以及具备这样的消隐装置的多带电粒子束描绘装置。本发明的一方式的多射束用的消隐装置具备：半导体基板；绝缘膜，设于所述半导体基板上；防带电膜，设于所述绝缘膜上；多个单元，分别具有消隐电极和接地电极，该消隐电极和接地电极与形成于所述半导体基板和所述绝缘膜的贯通孔对应地设置在该绝缘膜上；以及接地布线，设于所述绝缘膜中。所述防带电膜与所述接地布线通过连接部而连接，该连接部贯通所述接地布线上的所述绝缘膜而形成。

相关申请

本申请享受以日本专利申请2020－047967号(申请日：2020年3月18日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。

技术领域

本发明涉及多射束用的消隐装置以及多带电粒子束描绘装置。

背景技术

随着LSI的高集成化，半导体器件的电路的布线宽度与布线间距逐年细微化。为了形成这样的半导体器件的电路图案，采用了使用缩小投影型曝光装置，并使用ArF等激光将形成在石英上的高精度的原版图案缩小转印到晶片上的方法(光刻)。近年来，为了形成更细微的图案，开始采用使用了极端紫外线的EUV光刻。在EUV光刻中，使用具有由多种材料构成的多层结构的掩模。在任一掩模中，在高精度的原版图案的制作中，使用由电子束描绘装置选择性地对掩模底版(mask blank，试样)上的抗蚀剂进行曝光而形成图案的所谓电子束光刻技术。

作为电子束描绘装置，已知有例如使用多射束而一次照射多个射束并提高生产率的多射束描绘装置。在该多射束描绘装置中，例如，从电子枪射出的电子束在具有多个开口的成形孔径阵列基板中穿过，从而形成多射束(多个电子束)。多射束在消隐板(消隐孔径阵列基板)的各个对应的消隐器内穿过。消隐板具有用于使射束单独地偏转的电极对(消隐器)，在电极对之间形成有射束穿过用的开口。通过将消隐器的一个电极(接地电极)固定于接地电位，并将另一个电极(消隐电极)切换为接地电位和除此以外的电位，进行穿过的电子束的消隐偏转。被消隐器偏转的电子束被屏蔽而在试样上成为截止，未被偏转的电子束作为接通射束照射到试样上。

消隐板具备：形成有多个开口的基板、在各开口的周围形成的消隐器以及向消隐器施加电压的控制电路部。通常，在构成控制电路部的MOS晶体管形成之后，与通常的半导体器件同样地在基板表面形成由氮化硅膜等绝缘膜构成的钝化膜(保护膜)。若绝缘膜在消隐板的表面露出，则在被照射了电子束的情况下，会存在如下问题：该绝缘膜带电，MOS晶体管的栅极绝缘膜等被静电破坏而无法进行消隐控制，或者由于带电引起的电场而使在开口中穿过的射束的轨道变化，产生照射位置的偏移或散焦，描绘精度降低。

因此，在保护膜上设置防带电膜，防止保护膜的带电。该防带电膜在接地电极、消隐板端部与接地布线连接。但是，若由于某种原因而在防带电膜上产生接地连接不良，则由于散射电子等使防带电膜局部带电而产生电位梯度，另外，若产生与消隐电极的短路，则在对消隐电极施加了电压时，在防带电膜上产生局部的电位梯度。由于这些现象，电子束会向不希望的方向偏转，从而造成描绘精度降低等影响。

发明内容

本发明提供一种能够防止在防带电膜上产生局部的带电以及电位梯度，并提高描绘精度的多射束用的消隐装置以及具备这样的消隐装置的多带电粒子束描绘装置。

本发明的一方式的多射束用的消隐装置具备：半导体基板；绝缘膜，设于所述半导体基板上；防带电膜，设于所述绝缘膜上；多个单元，分别具有消隐电极和接地电极，该消隐电极和接地电极与形成于所述半导体基板和所述绝缘膜的贯通孔对应地设置在该绝缘膜上；以及接地布线，设于所述绝缘膜中，所述防带电膜与所述接地布线通过连接部而连接，该连接部贯通所述接地布线上的所述绝缘膜而形成。

附图说明

图1是本发明的实施方式的带电粒子束描绘装置的概略图。

图2是成形孔径阵列基板的概略图。