[发明专利]一种太阳能电池片的制备方法

权利要求书

1.一种太阳能电池片的制备方法，其特征在于，包括

对硅片进行预清洗处理和/或腐蚀处理得到处理硅片；

利用扩散炉对处理硅片进行吸杂退火处理得到二次处理硅片；

利用第一腐蚀液对二次处理硅片进行处理得到除杂硅片，之后对除杂硅片进行成片处理得到太阳能电池片。

2.根据权利要求1所述的一种太阳能电池片的制备方法，其特征在于，对硅片进行预清洗处理的具体过程为：将硅片放置于第一清洗液中浸泡若干秒，而后取出硅片并利用纯水将硅片清洗至中性，再将清洗至中性的硅片进行烘干得到处理硅片。

3.根据权利要求1所述的一种太阳能电池片的制备方法，其特征在于，对硅片进行腐蚀处理的具体过程为：将硅片放置于第二腐蚀液中浸泡若干秒，而后取出硅片并利用纯水将硅片清洗至中性，再将清洗至中性的硅片进行烘干得到处理硅片。

4.根据权利要求1所述的一种太阳能电池片的制备方法，其特征在于，对处理硅片进行吸杂退火处理之前还包括：将处理硅片放置于第二清洗液中浸泡若干秒，然后取出处理硅片并利用纯水将处理硅片清洗至中性，之后对清洗至中性的处理硅片进行烘干。

5.根据权利要求1所述的一种太阳能电池片的制备方法，其特征在于，利用扩散炉对处理硅片进行吸杂退火处理的具体过程为：将处理硅片放置于扩散炉中，然后在处理硅片的表面重掺P元素并形成吸杂中心，而后对处理硅片进行退火处理，使得处理硅片的杂质吸附于表面生成磷硅玻璃层。

6.根据权利要求1所述的一种太阳能电池片的制备方法，其特征在于，利用第一腐蚀液对二次处理硅片进行处理的具体过程为：将二次处理硅片浸泡于HF溶液中，使得二次处理硅片表面的磷硅玻璃层去除。

7.根据权利要求2所述的一种太阳能电池片的制备方法，其特征在于，将清洗至中性的硅片进行烘干之前还包括：将清洗至中性的硅片放置于第三腐蚀液中浸泡若干秒，而后取出硅片并将利用纯水硅片清洗至中性。

8.根据权利要求2所述的一种太阳能电池片的制备方法，其特征在于，第一清洗液为KOH溶液或NaOH溶液与H₂O₂溶液或臭氧水的混合液。

9.根据权利要求4所述的一种太阳能电池片的制备方法，其特征在于，第二清洗液为KOH溶液与H₂O₂溶液的混合液或HCl溶液或HF溶液。

10.根据权利要求1～9任一项所述的一种太阳能电池片的制备方法，其特征在于，对除杂硅片进行成片处理的具体过程为：对除杂硅片依次进行预处理、CVD工艺处理、PVD工艺处理和丝网印刷处理得到成片，然后对成片进行测试处理得到太阳能电池片。