[发明专利]一种太阳能电池片的制备方法

说明书

本发明公开了一种太阳能电池片的制备方法，属于硅片处理工艺技术领域。本发明的方法包括对硅片进行预清洗处理和/或腐蚀处理得到处理硅片；之后利用扩散炉对处理硅片进行吸杂退火处理得到二次处理硅片；而后利用第一腐蚀液对二次处理硅片进行处理得到除杂硅片，之后对除杂硅片进行成片处理得到太阳能电池片。本发明克服了现有技术中，适用于太阳能电池的硅片中含有杂质，导致太阳能电池片性能较低的问题，提供了一种太阳能电池片的制备方法，可以去除硅片中的杂质，从而可以提高太阳能电池片的利用率，进一步可以提高太阳能电池的性能。

技术领域

本发明属于硅片处理工艺技术领域，更具体地说，涉及一种太阳能电池片的制备方法。

背景技术

单晶硅片由单晶硅棒切割而成，一般先将单晶硅棒进行切方，得到用于制备单晶硅片的方棒，再将方棒切片制得单晶硅片。单晶硅棒切方会产生边皮料，而边皮料一般都是回炉或用作高效多晶铸锭籽晶等使用。现有技术中除边皮料外的正常单晶硅片中，仍会含有一些杂质，效率低于理论极限值。目前在利用硅片制作太阳能电池片过程中，并没有对硅片进行吸杂处理，由于硅片中杂质的存在，导致由硅片所制作的太阳能电池片的性能有所降低，因此需要在制作太阳能电池片的过程中对硅片进行除杂。

经检索，现有技术中对于边皮料的除杂方法较多，目前的多晶硅锭边皮料的杂质的去除方法，一般采用酸洗或者碱洗方式，即通过硝酸/氢氟酸或浓碱在高温条件下对硅块表面进行腐蚀，使得硅片表面杂质从硅块基体脱落。此外例如发明创造名称为：一种硅料边皮中杂质的去除方法(申请日：2017年9月7日；申请号：201710800457.4)，该方案公开了一种硅料边皮中杂质的去除方法，包括：将硅料边皮放置于腐蚀液中浸泡预设时间，去除硅料边皮表面的杂质，并将内嵌杂质暴露在表面；刷洗掉暴露在硅料边皮表面的内嵌杂质，利用纯水冲洗硅料边皮至呈中性；对硅料边皮进行腐蚀清洗并再次利用纯水冲洗至呈中性；对硅料边皮进行超声清洗和烘干。上述方法可以去除硅料边皮中杂质，但由于制作太阳能电池片所需硅片的质量要求以及制程清洁度要求较高，且上述方法对于硅料的清洗杂质效果不佳，因此上述方法并不适用于太阳能电池片制作过程中硅片的除杂。

综上所述，如何去除适用太阳能电池硅片中的杂质，以提高太阳能电池的性能，是现有技术中亟需解决的问题。

发明内容

1.要解决的问题

本发明克服了现有技术中，适用于太阳能电池的硅片中含有杂质，导致太阳能电池性能较低的问题，提供了一种太阳能电池片的制备方法，可以去除硅片中的杂质，从而可以提高太阳能电池片的利用率，进一步可以提高太阳能电池的性能。

2.技术方案

为了解决上述问题，本发明所采用的技术方案如下：

本发明的一种太阳能电池片的制备方法，包括对硅片进行预清洗处理和/或腐蚀处理得到处理硅片；再利用扩散炉对处理硅片进行吸杂退火处理得到二次处理硅片；之后利用第一腐蚀液对二次处理硅片进行处理得到除杂硅片，之后对除杂硅片进行成片处理得到太阳能电池片。

作为本发明更进一步地改进，对硅片进行预清洗处理的具体过程为：将硅片放置于第一清洗液中浸泡若干秒，而后取出硅片并利用纯水将硅片清洗至中性，再将清洗至中性的硅片进行烘干得到处理硅片。

作为本发明更进一步地改进，对硅片进行腐蚀处理的具体过程为：将硅片放置于第二腐蚀液中浸泡若干秒，而后取出硅片并利用纯水将硅片清洗至中性，再将清洗至中性的硅片进行烘干得到处理硅片。

作为本发明更进一步地改进，对处理硅片进行吸杂退火处理之前还包括：将处理硅片放置于第二清洗液中浸泡若干秒，然后取出处理硅片并利用纯水将处理硅片清洗至中性，之后对清洗至中性的处理硅片进行烘干。