[发明专利]一种提高晶圆片边缘平坦度的抛光方法有效
| 申请号： | 202110286004.0 | 申请日： | 2021-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN112872921B | 公开（公告）日： | 2022-08-23 |
| 发明（设计）人： | 祝斌;武卫;刘建伟;刘园;刘姣龙;裴坤羽;杨春雪;由佰玲;孙晨光;王彦君;常雪岩;谢艳;袁祥龙;张宏杰;刘秒;吕莹;徐荣清 | 申请（专利权）人： | 天津中环领先材料技术有限公司;中环领先半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | B24B1/00 | 分类号： | B24B1/00;B24B9/06;B24B41/04;B24B41/06;B24B47/22 |
| 代理公司： | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 栾志超 |
| 地址： | 300384 天津市滨海*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 晶圆片 边缘 平坦 抛光 方法 | ||
1.一种提高晶圆片边缘平坦度的抛光方法，用于提高R型倒角结构的晶圆片外缘平坦度，其特征在于，步骤包括：
执行所述晶圆片放置于其下方的支撑盘中的载具内，并被所述支撑盘以设定转速带动旋转；
置于所述晶圆片上方的压盘以设定压力、设定转速与所述支撑盘一起旋转，分别对所述晶圆片的上端面和下端面进行抛光；
分别设于所述支撑盘和所述压盘上且与所述晶圆片双面接触的抛光垫的厚度不大于1mm；
设于所述支撑盘中且用于放置所述晶圆片的放置孔的内径边缘为圆形倒角结构，且所述放置孔内径边缘倒角结构的角度小于所述晶圆片边缘倒角的角度；
所述抛光垫厚度为0.4-0.9mm；且所述抛光垫为有机高分子材料制成；
所述晶圆片边缘倒角结构的角度不大于15°；且所述晶圆片边缘倒角结构的半径不大于所述晶圆片厚度的一半；
所述晶圆片边缘倒角结构的角度为11°。
2.根据权利要求1所述的一种提高晶圆片边缘平坦度的抛光方法，其特征在于，所述抛光垫的压缩率是1.2-4%，且其硬度为76-92 JIS A。
3.根据权利要求1所述的一种提高晶圆片边缘平坦度的抛光方法，其特征在于，抛光前所述晶圆片厚度与抛光后所述晶圆片厚度的差为10-20μm。
4.根据权利要求1-3任一项所述的一种提高晶圆片边缘平坦度的抛光方法，其特征在于，所述载具厚度为775-779μm。
5.根据权利要求4所述的一种提高晶圆片边缘平坦度的抛光方法，其特征在于，所述放置孔内径与所述晶圆片直径差的范围为0.4-1.6μm。
6.根据权利要求5所述的一种提高晶圆片边缘平坦度的抛光方法，其特征在于，所述压盘和所述支撑盘的转速相同且方向相反，均为15-25r/min；所述晶圆片去除速度为0.5μm/min。
7.根据权利要求6所述的一种提高晶圆片边缘平坦度的抛光方法，其特征在于，所述压盘压力为1000-20000Kg。
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