[发明专利]一种提高晶圆片边缘平坦度的抛光方法

说明书

一种提高晶圆片边缘平坦度的抛光方法，用于提高R型倒角结构的大尺寸晶圆片外缘平坦度，步骤包括：执行晶圆片放置于其下方的支撑盘中的载具内，并被支撑盘以设定转速带动旋转；置于晶圆片上方的压盘以设定压力、设定转速与所述支撑盘一起旋转，分别对晶圆片的上端面和下端面进行抛光；分别设于支撑盘和压盘上且与晶圆片双面接触的抛光垫的厚度不大于1mm；设于支撑盘中且用于放置晶圆片的放置孔的内径边缘为圆形倒角结构，且放置孔内径边缘倒角结构的角度小于晶圆片边缘倒角的角度。本发明可使晶圆片双面的平坦度均被控制在0.5μm以内，且晶圆片边缘平坦度值控制在0.08μm以内，相应成品率提高至90％。

技术领域

本发明属于半导体晶圆片抛光技术领域，尤其是涉及一种提高晶圆片边缘平坦度的抛光方法。

背景技术

现有晶圆片倒角结构主要为：一种是R型结构，如图1所示；另一种是T型结构，附图省略。因R型结构的倒角不仅易于加工，而且其所占晶圆片直径面积较小，故R型结构为现有晶圆片中主流的倒角结构。

对于大尺寸晶圆片，随着面积的增加，其抛光面的几何参数更不易控制，在双面抛光过程中，抛光垫极易被压缩发生形变，尤其是在晶圆片外缘倒角处，抛光垫的厚度越大其变形越明显，使得靠近倒角处的晶圆片外缘处的抛光垫变形量更大，导致晶圆片靠近倒角处的外缘面被抛磨的较深，与标准要求相比，边缘处的平坦度值较差，严重影响晶圆片整体的几何参数；而位于晶圆片中间位置的平坦度值较稳定且合格。而且，任何一个外缘处平坦度的不合格，都会导致大尺寸晶圆片整个片子的报废，生产成本较大。

发明内容

本发明提供一种提高晶圆片边缘平坦度的抛光方法，尤其涉及R型倒角结构的大尺寸晶圆片，解决了现有技术中晶圆片靠近倒角处的外缘面平坦度较差的技术问题。

为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是：

一种提高晶圆片边缘平坦度的抛光方法，步骤包括：

执行所述晶圆片放置于其下方的支撑盘中的载具内，并被所述支撑盘以设定转速带动旋转；

置于所述晶圆片上方的压盘以设定压力、设定转速与所述支撑盘一起旋转，分别对所述晶圆片的上端面和下端面进行抛光；

所述晶圆片边缘为圆弧形倒角，所述晶圆片边缘倒角结构的角度不大于15°；

分别设于所述支撑盘和所述压盘上且与所述晶圆片双面接触的抛光垫的厚度不大于1mm；

设于所述支撑盘中且用于放置所述晶圆片的放置孔的内径边缘为圆形倒角结构，且所述放置孔内径边缘倒角结构的角度小于所述晶圆片边缘倒角的角度。

进一步的，所述抛光垫厚度为0.4-0.9mm；且所述抛光垫为有机高分子材料制成。

进一步的，所述抛光垫的压缩率是1.2-4％，且其硬度为76-92JIS A。

进一步的，其特征在于，所述晶圆片边缘倒角结构的角度为11°，且所述晶圆片边缘倒角结构的半径不大于所述晶圆片厚度的一半。

进一步的，抛光前所述晶圆片厚度与抛光后所述晶圆片厚度的差为10-20μm。

进一步的，抛光后的所述晶圆片厚度为775-777μm。

进一步的，所述载具厚度为775-779μm。

进一步的，所述放置孔内径与所述晶圆片直径差的范围为0.4-1.6μm。

进一步的，所述压盘和所述支撑盘的转速相同且方向相反，均为15-25r/min；所述晶圆片去除速度为0.5μm/min。

进一步的，所述压盘压力为1000-20000Kg。