[发明专利]确定三维信息有效
申请号: | 202110287046.6 | 申请日: | 2021-03-17 |
公开(公告)号: | CN113405493B | 公开(公告)日: | 2023-10-24 |
发明(设计)人: | A·黎凡特;R·比斯特里泽 | 申请(专利权)人: | 应用材料以色列公司 |
主分类号: | G01B15/04 | 分类号: | G01B15/04 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 侯颖媖;张鑫 |
地址: | 以色列瑞*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 确定 三维 信息 | ||
公开了用于确定基板的结构元件的三维(3D)信息的方法、非暂时性计算机可读介质和系统。
相关申请的交叉引用
本申请要求2020年3月17日提交的US 16/821,831的优先权。本申请的公开内容由此出于所有目的而将其全文以引用方式并入。
背景技术
三维(3D)计量是半导体行业中的一个新的领域。平面器件的收缩已经达到其物理极限,并且高级节点求助于3D设计来增加器件中的特征密度。这些3D结构的可靠测量对于它们的开发过程而言至关重要。
目前,光学临界尺寸(OCD)在3D非破坏性测量中占据了最大份额。然而,OCD局限于对特殊设计的外围目标进行测量,且不能进行管芯内测量。此外,OCD具有低空间分辨率(50μm的量级),只能测量周期性结构,对下层敏感,并且涉及复杂和耗时的配方设置。
越来越需要提供精确的方法来确定基板的结构特征的3D信息。
发明内容
可提供用于确定3D信息的方法、非暂时性计算机可读介质和系统。
附图说明
在说明书的结论部分中特别指出并明确要求保护被视为本公开的实施方式的主题。然而,当结合附图阅读时,通过参考以下详细描述,可以在本公开的组织和操作方法以及其目的、特征和优点方面最好地理解本公开的实施方式,在附图中:
图1示出了方法的示例;
图2示出了方法的示例;
图3示出了方法的示例;
图4示出了方法和各种扫描电子显微镜(SEM)图像以及数据结构的示例;
图5示出了晶片、管芯和SEM图像的示例;并且
图6示出了晶片和系统的示例。
具体实施方式
在以下详细描述中,阐述了许多具体细节以便提供对本公开的实施方式的透彻理解。
然而,本领域技术人员应理解,可以在没有这些具体细节的情况下实践本公开的实施方式。在其他情况下,没有详细描述众所周知的方法、过程和部件,以免模糊本公开的实施方式。
在说明书的结论部分中特别指出并明确要求保护被视为本公开的实施方式的主题。然而,当结合附图阅读时,通过参考以下详细描述,可以在本公开的组织和操作方法以及其目的、特征和优点方面最好地理解本公开的实施方式。
应当理解,为了说明的简单和清楚性,图中所示的元件未必按比例绘制。例如,为了清楚起见,一些元件的尺寸可能相对于其他元件被夸大。此外,在认为适当的情况下,可以在各图中重复附图标记以指示对应或类似的元件。
因为本公开的所图示的实施方式在很大程度上可使用本领域技术人员已知的电子部件和电路来实现,所以为了理解和评价本公开的当前实施方式的基本概念并且为了不混淆或偏离本公开的当前实施方式的教导,将不会以比如上所示被认为是必要的任何更大程度来解释细节。
本说明书中对方法的任何引用都应针对能够执行所述方法的系统加以必要修改来应用,并且应针对为非暂时性的并且存储用于执行所述方法的指令的计算机可读介质加以必要修改来应用。
本说明书中对系统的任何引用都应针对可由系统执行的方法加以必要修改来应用,并且应针对为非暂时性的并且存储可由系统执行的指令的计算机可读介质加以必要修改来应用。
本说明书中对非暂时性计算机可读介质的任何引用应针对在执行存储在计算机可读介质中的指令时可应用的方法加以必要修改来应用,并且应针对被配置为执行存储在计算机可读介质中的指令的系统加以必要修改来应用。
术语“和/或”是指另外地或替代地。
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