[发明专利]管式炉及半导体掺杂膜层制备方法

权利要求书

1.一种管式炉，其特征在于，包括：

炉管工艺腔；

成膜气体装置，与所述炉管工艺腔连通，用于向所述炉管工艺腔中提供成膜反应气体。

等离子体装置，与所述炉管工艺腔连通，用于向所述炉管工艺腔中提供等离子体。

2.根据权利要求1所述的管式炉，其特征在于，等离子体装置包括：

等离子体产生单元，用于产生等离子体；

若干个等离子体输送管道，连接所述等离子体产生单元及所述炉管工艺腔，用于将等离子体输送至所述炉管工艺腔中。

3.根据权利要求2所述的管式炉，其特征在于，所述等离子体产生单元包括：能量源，用于提供偏压；

气体源，用于提供原始气体；

极板，与所述能量源电连接，用于在所述偏压下将所述原始气体电离为等离子体。

4.根据权利要求3所述的管式炉，其特征在于，所述能量源为射频能量单元，所述射频能量单元包括：

射频电源；

匹配器，与极板电连接；

同轴电缆，连接所述射频电源与所述匹配器。

5.根据权利要求2所述的管式炉，其特征在于，所述等离子体输送管道包括若干个出气口，所述出气口设置在所述炉管工艺腔的侧壁和/或顶端。

6.根据权利要求5所述的管式炉，其特征在于，所述出气口设置为，位于所述等离子体输送管道的侧壁的孔。

7.根据权利要求5所述的管式炉，其特征在于，所述等离子体装置包括多个等离子体输送管道，沿所述炉管工艺腔的周向，所述等离子体输送管道间隔设置。

8.根据权利要求7所述的管式炉，其特征在于，相邻的所述等离子体输送管道的出气口交错设置。

9.根据权利要求2所述的管式炉，其特征在于，所述成膜气体装置包括若干个反应气体输送管道，所述反应气体输送管道与所述等离子体输送管道至少部分共用。

10.一种采用权利要求1～9任意一项所述的管式炉的半导体掺杂膜层的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

向所述炉管工艺腔内提供成膜反应气体，以在半导体结构表面形成膜层；向所述炉管工艺腔内提供等离子体，以对所述膜层进行掺杂，形成掺杂膜层。

11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述膜层为氧化硅膜层，所述掺杂膜层为氮掺杂氧化硅膜层。

12.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，形成所述等离子体的原始气体为N₂、NO或N₂O中的至少一种。

13.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：对所述掺杂膜层进行退火处理。