[发明专利]一种硅片制作方法及硅片有效
| 申请号： | 202110291086.8 | 申请日： | 2021-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN113066719B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 于航;马占良;刘俊嘉 | 申请（专利权）人： | 吉林华微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/308 |
| 代理公司： | 成都极刻智慧知识产权代理事务所(普通合伙) 51310 | 代理人： | 宋江 |
| 地址： | 132000 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 制作方法 | ||
1.一种硅片制作方法，其特征在于，包括：
将硅片放置于具有设定温度的氧化环境，在所述硅片的表面形成氧化层；
通过化学气相沉积法在所述氧化层的表面形成保护膜；
在所述保护膜的表面形成光刻胶层，并利用光刻版上的图形进行光刻工艺，所述保护膜用于增强所述光刻胶层与所述氧化层的粘附性；
利用腐蚀液按照所述图形对所述氧化层进行腐蚀，以在所述氧化层上腐蚀出所述图形；
利用硅槽腐蚀液根据所述图形对所述硅片的本体进行槽腐蚀，以形成基于所述图形确定的硅槽；
去除所述光刻胶层，形成具有所述硅槽的硅片；
其中，所述通过化学气相沉积法在所述氧化层的表面形成保护膜，包括：
利用化学气相沉积法将液态源Si(OC2H5)4淀积至所述氧化层的表面形成保护膜。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述设定温度为800℃至1100℃之间。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述保护膜的厚度为1500埃到2500埃之间。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述保护膜的表面形成光刻胶层，并利用光刻版上的图形进行光刻工艺，包括：
对所述硅片进行脱水烘焙；
将光刻胶以旋涂方式涂覆在所述保护膜的表面形成所述光刻胶层；
对所述硅片进行烘干，以使所述光刻胶层干燥；
通过光刻版对干燥后的所述光刻胶层进行光刻去除所述光刻胶层的一部分，完成光刻工艺。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述利用腐蚀液按照所述图形对所述氧化层进行腐蚀，包括：
利用氢氟酸腐蚀液对所述氧化层进行腐蚀。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述利用硅槽腐蚀液根据所述图形对所述硅片的本体进行槽腐蚀，以形成基于所述图形确定的硅槽，包括：
将所述硅片在预设温度环境下放入硝酸、氢氟酸和冰乙酸后制作形成的所述硅槽腐蚀液中，腐蚀预设时间后取出，以形成基于所述图形确定的硅槽。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述预设温度为-8℃，所述预设时间为25min至30min。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除所述光刻胶层，形成具有所述硅槽的硅片，包括：
将硅片放入到118℃至122℃的硫酸中去除所述光刻胶层后，并用清水进行冲洗，得到具有所述硅槽的硅片。
9.一种硅片，其特征在于，包括由权利要求1-8中任一项所述的硅片制作方法制作形成的硅槽。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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