[发明专利]一种硅片制作方法及硅片

说明书

本发明公开了一种硅片制作方法及硅片，涉及微电子技术领域，硅片制作方法包括：首先在硅片的表面形成氧化层；然后通过化学气相沉积法在氧化层的表面形成保护膜；接着在保护膜的表面形成光刻胶层，并利用光刻版上的图形进行光刻工艺，再利用腐蚀液在氧化层上腐蚀出图形；然后利用硅槽腐蚀液根据图形对硅片的本体进行槽腐蚀，以形成基于图形确定的硅槽；最终去除光刻胶层，形成具有硅槽的硅片，通过上述步骤，相较于现有技术中硅槽制作过程中由于光刻胶层过早的脱落造成的硅槽结构不完整的问题，利用化学气相沉积法形成的保护膜能够实现一种能够保证硅槽结构完整的硅片制作技术方案。

技术领域

本发明涉及领域，具体而言，涉及微电子技术领域。

背景技术

随着微电子行业的发展，各类硅产品应用在各种场景中，硅槽作为硅产品的重要结构特征，用于容纳芯片以及相关微电子器件的作用。而在现有技术中，硅槽的制作过程一般采取传统的硅槽腐蚀工艺，由于在硅槽腐蚀过程中放热量巨大，随着台面腐蚀时间进行，用于进行曝光显影的光刻胶的耐腐蚀性逐渐变差，在未达到硅槽形貌的情况下，光刻胶已完全脱落，光刻胶的脱落一方面导致硅槽的造型发生变化，如槽深、槽宽不符合工艺要求，影响芯片的反向电压；另一方面光刻胶脱落导硅片表面氧化层被台面腐蚀液腐蚀，氧化层厚度发生变化，或出现发黑的现象，影响芯片可靠性。

有鉴于此，如何提供一种能够保证硅槽结构完整的硅片制作方案，是本领域技术人员需要解决的。

发明内容

本发明的目的在于提供一种硅片制作方法及硅片。

第一方面，本发明提供一种硅片制作方法，包括：

将硅片放置于具有设定温度的氧化环境，在硅片的表面形成氧化层；

通过化学气相沉积法在氧化层的表面形成保护膜；

在保护膜的表面形成光刻胶层，并利用光刻版上的图形进行光刻工艺，保护膜用于增强光刻胶层与氧化层的粘附性；

利用腐蚀液按照图形对氧化层进行腐蚀，以在氧化层上腐蚀出图形；

利用硅槽腐蚀液根据图形对硅片的本体进行槽腐蚀，以形成基于图形确定的硅槽；

去除光刻胶层，形成具有硅槽的硅片。

可选地，设定温度为800℃至1100℃之间。

可选地，通过化学气相沉积法在氧化层的表面形成保护膜，包括：

利用化学气相沉积法将液态源Si(OC₂H₅)₄淀积至氧化层的表面形成保护膜。

可选地，保护膜的厚度为1500埃到2500埃之间。

可选地，在保护膜的表面形成光刻胶层，并利用光刻版上的图形进行光刻工艺，包括：

对硅片进行脱水烘焙；

将光刻胶以旋涂方式涂覆在保护膜的表面形成光刻胶层；

对硅片进行烘干，以使光刻胶层干燥；

通过光刻版对干燥后的光刻胶层进行光刻去除光刻胶层的一部分，完成光刻工艺。

可选地，利用腐蚀液按照图形对氧化层进行腐蚀，包括：

利用氢氟酸腐蚀液对氧化层进行腐蚀。

可选地，利用硅槽腐蚀液根据图形对硅片的本体进行槽腐蚀，以形成基于图形确定的硅槽，包括：

将硅片在预设温度环境下放入硝酸、氢氟酸和冰乙酸后制作形成的硅槽腐蚀液中，腐蚀预设时间后取出，以形成基于图形确定的硅槽。

可选地，预设温度为-8℃，预设时间为25min至30min。