[发明专利]一种发光元件的制备方法及发光元件

权利要求书

1.一种发光元件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：

步骤S01、提供一衬底；

步骤S02、层叠一外延叠层于所述衬底表面，所述外延叠层包括沿第一方向依次堆叠第一型半导体层、有源区以及第二型半导体层，所述第一方向垂直于所述衬底，并由所述衬底指向所述外延叠层；

步骤S03、将所述外延叠层的局部区域蚀刻至部分所述的第一型半导体层，形成凹槽及发光台面；

步骤S04、层叠一ITO层于所述发光台面的表面；

步骤S05、对所述ITO层的表面疏水处理，形成疏水表面；所述疏水表面通过将所述ITO层表面的杂质与解离的氧离子结合后排出而形成；

步骤S06、生长一钝化层，其覆盖所述外延叠层并分别裸露所述发光台面和所述凹槽的部分表面；

步骤S07、生长一第一电极和一第二电极，所述第一电极层叠于所述凹槽的裸露部并向上延伸至所述钝化层的表面；所述第二电极层叠于所述发光台面的裸露部并向上延伸至所述钝化层的表面。

2.根据权利要求1所述的发光元件的制备方法，其特征在于，所述疏水表面的形成包括：通过对笑气进行解离出氧离子，使解离的氧离子与所述ITO层表面的杂质结合形成气体后被排出。

3.根据权利要求1所述的发光元件的制备方法，其特征在于，将所述步骤S05与所述步骤S06同步完成，具体包括：

将所述步骤S04形成的半成品放置于反应腔中，且反应腔体保持在预热温度，首先，往腔体通入笑气，再通过射频解离使得等离子O与ITO层表面的杂质反应形成气体被泵抽出；然后，向反应腔体中同时通入硅烷、笑气及氮气的混合气体；通过反应腔的射频与腔体压力的配合控制，使反应腔体形成负氧离子氛围后，硅烷在具有负氧离子氛围的反应腔体中进行反应而沉积形成二氧化硅膜的钝化层，反应过程中的副产物被抽出；

其中，所述反应腔体的射频功率为130-150W，压力为70-100Pa。

4.根据权利要求3所述的发光元件的制备方法，其特征在于，所述硅烷及笑气的混合比例为1:8～3:8，不包括端点值。

5.根据权利要求3所述的发光元件的制备方法，其特征在于，所述硅烷及笑气的混合比例为1:4。

6.根据权利要求3所述的发光元件的制备方法，其特征在于，所述二氧化硅膜的沉积速率包括4nm/s～5nm/s。

7.一种发光元件，其特征在于，包括：

衬底；

设置于所述衬底表面的外延叠层，所述外延叠层包括沿第一方向依次堆叠的第一型半导体层、有源区以及第二型半导体层，且所述外延叠层的局部区域蚀刻至部分所述的第一型半导体层形成凹槽及发光台面；所述第一方向垂直于所述衬底，并由所述衬底指向所述外延叠层；

ITO层，其层叠于所述发光台面的表面，且所述ITO层具有疏水表面；所述疏水表面通过将所述ITO层表面的杂质与解离的氧离子结合后排出而形成；

钝化层，其覆盖所述外延叠层并分别裸露所述发光台面和所述凹槽的部分表面；

第一电极，其层叠于所述凹槽的裸露部并向上延伸至所述钝化层的表面；

第二电极，其层叠于所述发光台面的裸露部并向上延伸至所述钝化层的表面。

8.根据权利要求7所述的发光元件，其特征在于，所述ITO层的疏水表面及钝化层采用如权利要求1-6任意一项所述的发光元件的制备方法制备得到。