[发明专利]一种发光元件的制备方法及发光元件

说明书

本发明提供了一种发光元件的制备方法及发光元件，通过对所述ITO层的表面疏水处理，形成疏水表面；所述疏水表面通过将所述ITO层表面的杂质与解离的氧离子结合后排出而形成；如此，可有效除去ITO层表面的杂质(如C和/或H等)，使得ITO层的表面由亲水性转变为疏水性，提高ITO层及钝化层之间的粘附性，制备出较为致密的二氧化硅钝化层。

技术领域

本发明涉及发光二极管领域，尤其涉及一种发光元件的制备方法及发光元件。

背景技术

随着LED技术的快速发展以及LED光效的逐步提高，LED的应用也越来越广泛，人们越来越关注LED在显示屏的发展前景。LED芯片，作为LED灯的核心组件，其功能就是把电能转化为光能，具体的，包括外延片和分别设置在外延片上的N型电极和P型电极。所述外延片包括P型半导体层、N型半导体层以及位于所述N型半导体层和P型半导体层之间的有源层，当有电流通过LED芯片时，P型半导体中的空穴和N型半导体中的电子会向有源层移动，并在所述有源层复合，使得LED芯片发光。

但是，无论是蓝绿LED芯片或者是白光LED芯片，其钝化层通常通过将SiH₄和N₂O反应生成的SiO₂薄膜；本发明人在实验过程中发现：为了追求SiO₂薄膜的沉积与蚀刻速率，SiH₄：N₂0比例相对较高，反应腔内含有大量的反应物等离子体及副产物，沉积速率快，过多的杂质形成Si-N键、Si-H键等副产物无法及时被抽走，留在SiO₂薄膜中，进而导致膜层疏松，且芯片长期处于高温高湿的逆偏压环境中，疏松的钝化层更容易受到水汽渗入，形成导电通道，额外的电流发热导致氮化镓被烧伤，进而出现死灯；由于工艺波动，ITO表面存在杂质使其配位不饱和，导致ITO蒸镀后的一系列工序包括去胶、甩干等，容易与极性很强的水分子结合，表现为亲水性，导致后续膜层覆盖后，彼此无法形成强键，粘附性变差。

有鉴于此，本发明人专门设计了一种发光元件的制备方法及发光元件，本案由此产生。

发明内容

本发明的目的在于提供一种发光元件的制备方法及发光元件，以实现ITO层的疏水表面。

为了实现上述目的，本发明采用的技术方案如下：

一种发光元件的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：

步骤S01、提供一衬底；

步骤S02、层叠一外延叠层于所述衬底表面，所述外延叠层包括沿第一方向依次堆叠第一型半导体层、有源区以及第二型半导体层，所述第一方向垂直于所述衬底，并由所述衬底指向所述外延叠层；

步骤S03、将所述外延叠层的局部区域蚀刻至部分所述的第一型半导体层，形成凹槽及发光台面；

步骤S04、层叠一ITO层于所述发光台面的表面；

步骤S05、对所述ITO层的表面疏水处理，形成疏水表面；所述疏水表面通过将所述ITO层表面的杂质与解离的氧离子结合后排出而形成；

步骤S06、生长一钝化层，其覆盖所述外延叠层并分别裸露所述发光台面和所述凹槽的部分表面；

步骤S07、生长一第一电极和一第二电极，所述第一电极层叠于所述凹槽的裸露部并向上延伸至所述钝化层的表面；所述第二电极层叠于所述发光台面的裸露部并向上延伸至所述钝化层的表面。

优选地，所述疏水表面的形成包括：通过对笑气进行解离出氧离子，使解离的氧离子与所述ITO层表面的杂质结合形成气体后被排出。

优选地，将所述步骤S05与所述步骤S06同步完成，具体包括：