[发明专利]一种嵌埋封装结构及其制造方法在审
申请号: | 202110294274.6 | 申请日: | 2021-03-19 |
公开(公告)号: | CN113130420A | 公开(公告)日: | 2021-07-16 |
发明(设计)人: | 陈先明;冯磊;黄本霞;宝玥;王闻师 | 申请(专利权)人: | 南通越亚半导体有限公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L25/065;H01L21/56 |
代理公司: | 北京风雅颂专利代理有限公司 11403 | 代理人: | 李翔;鲍胜如 |
地址: | 226000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种多层嵌埋封装结构,包括第一介电层和在所述第一介电层上的第二介电层,所述第一介电层包括第一布线层,所述第二介电层包括沿高度方向贯穿所述第二介电层的第一铜柱层和器件放置口框以及在所述第一铜柱层上的第二布线层,在所述第二布线层上设置有第二铜柱层,所述第一布线层和所述第二布线层通过所述第一铜柱层导通连接,其中在所述器件放置口框的底部贴装有第一器件,使得所述第一器件的端子与所述第一布线层导通连接,在所述第二介电层上贴装有第二器件,使得所述第二器件的端子与所述第二布线层导通连接,在所述第二铜柱层的端部贴装有第三器件,使得所述第三器件的端子与所述第二铜柱层导通连接。
2.根据权利要求1所述的多层嵌埋封装结构,其中在所述第一器件和第二器件与所述封装结构的空隙中填充有介电材料。
3.根据权利要求1所述的多层嵌埋封装结构,其中所述第一介电层和所述第二介电层包括有机介电材料、无机介电材料或它们的组合。
4.根据权利要求3所述的多层嵌埋封装结构,其中所述第一介电层和所述第二介电层包括聚酰亚胺、环氧树脂,双马来酰亚胺三嗪树脂、陶瓷填料、玻璃纤维或它们的组合。
5.根据权利要求1所述的多层嵌埋封装结构,其中在所述第三器件上覆盖有塑封层。
6.根据权利要求1所述的多层嵌埋封装结构,其中所述第一器件和所述第二器件包括具有双面端子的器件,使得所述第二器件的端子与所述第一器件的端子导通连接,所述第二器件的端子与所述第三器件的端子导通连接。
7.根据权利要求1所述的多层嵌埋封装结构,其中所述第一、第二和第三器件分别包括至少一个器件。
8.根据权利要求1所述的多层嵌埋封装结构,其中在所述第一介电层的底面上设置有阻焊层和阻焊开窗。
9.一种多层嵌埋封装结构的制造方法,包括如下步骤:
(a)在临时承载板上形成第一布线层,在所述第一布线层上层压第一介电层,减薄所述第一介电层以暴露出上述第一布线层;
(b)在所述第一介电层上形成第一铜柱层,所述第一铜柱层包括牺牲铜柱,在所述第一铜柱层上层压第二介电层,减薄所述第二介电层以暴露出所述第一铜柱层;
(c)在所述第二介电层上形成第二布线层,使得所述第一布线层和所述第二布线层通过所述第一铜柱层导通连接;
(d)在所述第二布线层上形成第二铜柱层;
(e)蚀刻所述牺牲铜柱,形成暴露出所述第一布线层的器件放置口框;
(f)移除所述临时承载板。
10.根据权利要求9所述的制造方法,还包括:
(g)在所述器件放置口框的底部贴装第一器件,使得第一器件的端子与第一布线层导通连接;
(h)在所述第二布线层上贴装第二器件,使得所述第二器件的端子与所述第二布线层导通连接;
(i)在所述第二铜柱层的端部贴装第三器件,使得所述第三器件的端子与所述第二铜柱层导通连接。
11.根据权利要求10所述的制造方法,还包括:
(h')在步骤h之后和步骤i之前,填充介电材料覆盖所述第一器件和所述第二器件。
12.根据权利要求10所述的制造方法,还包括:
(i')在步骤i之后,层压介电材料形成覆盖所述第三器件的塑封层。
13.根据权利要求9所述的制造方法,其中步骤(a)包括:
(a1)在所述临时承载板上施加第一光刻胶层,曝光显影形成第一特征图案;
(a2)在所述第一特征图案中电镀形成第一布线层,并移除所述第一光刻胶层;
(a3)在所述第一布线层上层压第一介电层,并减薄所述第一介电层以暴露所述第一布线层。
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