[发明专利]基片处理方法和基片处理装置

权利要求书

1.一种基片处理方法，其特征在于，包括：

保持形成有含硼硅膜的基片的工序；

在所保持的所述基片供给含有氢氟酸和硝酸的氧化水溶液的工序；和

利用所述氧化水溶液蚀刻所述基片的所述含硼硅膜的工序。

2.如权利要求1所述的基片处理方法，其特征在于：

所述氧化水溶液中的氢氟酸与硝酸的混合比在1:1～1:10的范围内。

3.如权利要求1或2所述的基片处理方法，其特征在于：

所述氧化水溶液的温度在20℃～80℃的范围内。

4.如权利要求1～3中的任一项所述的基片处理方法，其特征在于：

所述氧化水溶液还含有醋酸。

5.如权利要求1～4中的任一项所述的基片处理方法，其特征在于：

所述供给工序向所述基片的周缘部供给所述氧化水溶液。

6.如权利要求1～5中的任一项所述的基片处理方法，其特征在于：

所述供给工序向所述基片的背面供给所述氧化水溶液。

7.如权利要求1～4中的任一项所述的基片处理方法，其特征在于：

所述供给工序向所述基片的整个面供给所述氧化水溶液。

8.一种基片处理装置，其特征在于，包括：

保持形成有含硼硅膜的基片的基片保持部；和

向由所述基片保持部所保持的所述基片供给含有氢氟酸和硝酸的氧化水溶液的处理液供给部。

9.如权利要求8所述的基片处理装置，其特征在于：

所述处理液供给部向所述基片的背面供给所述氧化水溶液。

10.如权利要求9所述的基片处理装置，其特征在于：

所述基片保持部可回转地保持所述基片，

所述处理液供给部向在转速为200(rpm)～1000(rpm)的范围内回转的所述基片的背面供给所述氧化水溶液。

11.如权利要求8所述的基片处理装置，其特征在于：

所述处理液供给部向所述基片的周缘部供给所述氧化水溶液。

12.如权利要求11所述的基片处理装置，其特征在于：

所述基片保持部可回转地保持所述基片，

所述处理液供给部向在转速为400(rpm)～1000(rpm)的范围内回转的所述基片的周缘部供给所述氧化水溶液。