[发明专利]基片处理方法和基片处理装置

说明书

本发明的目的在于提供能够恰当地蚀刻在晶片形成的含硼硅膜的技术，本发明的一个方式的基片处理方法包括保持工序、供给的工序和蚀刻工序，保持工序保持形成有含硼硅膜的基片，供给工序向所保持的基片供给含有氢氟酸和硝酸的氧化水溶液，蚀刻工序利用氧化水溶液蚀刻基片的含硼硅膜。

技术领域

本发明涉及本发明的实施方式涉及基片处理方法和基片处理装置。

背景技术

历来，作为在对半导体晶片(以下，还称为晶片。)等基片进行蚀刻处理时使用的硬掩模，已知有使用碳模或硼模的技术。

(参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2018-164067号公报

发明内容

发明所要解决的问题

本发明提供能够恰当地蚀刻在晶片形成的含硼硅膜的技术。

用于解决问题的方式

本发明的一个方式的基片处理方法包括保持工序、供给工序和蚀刻工序。保持工序保持形成有含硼硅膜的基片。供给工序向所保持的所述基片供给含有氢氟酸和硝酸的氧化水溶液。蚀刻工序利用所述氧化水溶液对所述基片的所述含硼硅膜进行蚀刻。

发明的效果

根据本发明，能够恰当地蚀刻在晶片形成的含硼硅膜。

附图说明

图1是实施方式的基片处理系统的示意俯视图。

图2是实施方式的基片处理系统的示意侧视图。

图3是实施方式的周缘部处理单元的示意图。

图4是实施方式的背面处理单元的示意图。

图5是表示氧化水溶液中的氢氟酸的含有比率与含硼硅膜的蚀刻率的关系的图。

图6是表示氧化水溶液的温度与含硼硅膜的蚀刻率的关系的图。

图7是表示含硼硅膜中的硼浓度与含硼硅膜的蚀刻率的关系的图。

图8是用于说明实施方式的周缘部处理单元中的晶片的保持处理的图。

图9是用于说明实施方式的供向晶片的周缘部的氧化水溶液的供给处理的图。

图10是用于说明实施方式的背面处理单元中的晶片的保持处理的图。

图11是用于说明实施方式的供向晶片的背面的氧化水溶液的供给处理的图。

图12是实施方式的变形例的基片处理系统的示意俯视图。

图13是实施方式的变形例的整面处理单元的处理槽的示意图。

图14是表示实施方式的基片处理系统执行的基片处理的顺序的流程图。

图15是表示实施方式的变形例的基片处理系统执行的基片处理的顺序的流程图。

具体实施方式

以下，参照附图，对本发明公开的基片处理方法和基片处理装置的实施方式进行详细说明。另外，本发明并不被以下所示的各实施方式限定。此外，附图只是示意性的图，各要素的尺寸的关系、各要素的比率等需要留意与现实不同的情况。进一步，在附图的相互间也存在包含彼此的尺寸的关系和比率不同的部分的情况。

历来，作为在对半导体晶片(以下，还称为晶片。)等基片进行蚀刻处理时使用的硬掩模，已知有使用碳模或硼模的技术。