[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具有：

半导体基板；

沟道，从上述半导体基板的一个面朝向内部延长，在侧壁表面具有凹凸结构；

半导体膜，形成为覆盖上述沟道的侧壁表面且从上述侧壁表面连续地沿上述半导体基板的上述一个面延伸；

对置电极，具有第一部分和第二部分，其中，上述第一部分设置于隔着上述半导体膜与上述半导体基板对置的位置，上述第一部分沿上述半导体基板的上述一个面延伸，上述第二部分从上述第一部分连续地延伸以填充上述沟道；以及

绝缘膜，使上述半导体膜与上述对置电极绝缘。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述半导体膜为无掺杂的多晶硅膜。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述半导体膜为掺杂有杂质的多晶硅膜。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

上述半导体膜包含粗糙表面多晶硅，上述粗糙表面多晶硅在表面具有半球状粒子结构。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

上述凹凸结构包含尖头形的凸部。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

通过博世蚀刻形成上述沟道，

上述凹凸结构是在上述博世蚀刻的过程中形成的鳞片状的凹凸结构。

7.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包含：

通过博世蚀刻形成沟道的步骤，其中，上述沟道从半导体基板的一个面朝向内部延长；

形成半导体膜的步骤，上述半导体膜形成为覆盖上述沟道的侧壁表面且从上述侧壁表面连续地沿上述半导体基板的上述一个面延伸；

在上述半导体膜的表面形成绝缘膜的步骤；以及

在上述绝缘膜上形成对置电极的步骤，其中，上述对置电极具有第一部分和第二部分，上述第一部分沿上述半导体基板的上述一个面延伸，上述第二部分从上述第一部分连续地延伸以填充上述沟道。

8.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

还包含在形成上述绝缘膜的步骤后执行热退火处理的步骤。

9.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

形成上述半导体膜的步骤包含：

第一步骤，形成掺杂有杂质的第一多晶硅膜；以及

第二步骤，在上述第一多晶硅膜的表面形成无掺杂的第二多晶硅膜。

10.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

形成上述半导体膜的步骤包含：

第一步骤，形成掺杂有杂质的第一多晶硅膜；

第二步骤，在上述第一多晶硅膜的表面形成无掺杂的第二多晶硅膜；以及

第三步骤，在上述第二多晶硅膜的表面形成粗糙表面多晶硅膜。