[发明专利]对准晶片图案的方法在审
申请号: | 202110295665.X | 申请日: | 2021-03-19 |
公开(公告)号: | CN113611650A | 公开(公告)日: | 2021-11-05 |
发明(设计)人: | 刘殿寒;任茂华;白源吉;谈文毅 | 申请(专利权)人: | 联芯集成电路制造(厦门)有限公司 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;H01L21/66 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 361100 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 对准 晶片 图案 方法 | ||
1.一种对准晶片图案的方法,包括:
自第一样本晶片获得第一线上影像;
自该第一线上影像获得对准标记图案的第一轮廓图案;
用该第一轮廓图案产生第一合成影像,其中该第一合成影像是黑白像素影像;
以该第一合成影像为参考,识别待测晶片上的该对准标记图案;以及
根据该待测晶片上的该对准标记图案的位置以及坐标数据,对准至该待测晶片上的待测图案。
2.如权利要求1所述的方法,其中该第一线上影像是灰阶像素影像。
3.如权利要求1所述的方法,其中该第一合成影像包括由该第一轮廓图案定义的黑色像素区域,以及白色像素区域围绕该黑色像素区域。
4.如权利要求1所述的方法,其中该第一合成影像包括由该第一轮廓图案定义的白色像素区域,以及黑色像素区域围绕该白色像素区域。
5.如权利要求1所述的方法,另包括:
将该第一合成影像反色处理,获得第二合成影像;以及
以该第一合成影像以及该第二合成影像为参考,识别该待测晶片上的该对准标记图案。
6.如权利要求1所述的方法,另包括:
自第二样本晶片获得第二线上影像;
自该第二线上影像获得该对准标记图案的第二轮廓图案;以及
用该第一轮廓图案及该第二轮廓图案产生该第一合成影像。
7.如权利要求1所述的方法,其中该第一样本晶片以及该待测晶片通过相同制作工艺制作。
8.如权利要求1所述的方法,其中该第一样本晶片以及该待测晶片通过不同制作工艺制作。
9.如权利要求1所述的方法,其中该第一样本晶片以及该待测晶片通过相同制作工艺并使用相同光掩模制作。
10.一种对准晶片图案的方法,包括:
自多个第一样本晶片获得多个第一线上影像;
自该多个第一线上影像获得对准标记图案的第一轮廓图案;
用该第一轮廓图案产生第一合成影像,其中该第一合成影像是黑白像素影像;
以该第一合成影像为参考,识别待测晶片上的该对准标记图案;以及
根据该待测晶片上的该对准标记图案的位置以及坐标数据,对准至该待测晶片上的待测图案。
11.如权利要求10所述的方法,其中该第一线上影像是灰阶像素影像。
12.如权利要求10所述的方法,其中该第一合成影像包括由该第一轮廓图案定义的黑色像素区域,以及白色像素区域围绕该黑色像素区域。
13.如权利要求10所述的方法,其中该第一合成影像包括由该第一轮廓图案定义的白色像素区域,以及黑色像素区域围绕该白色像素区域。
14.如权利要求10所述的方法,另包括:
将该第一合成影像反色处理,获得第二合成影像;以及
以该第一合成影像以及该第二合成影像为参考,识别该待测晶片上的该对准标记图案。
15.如权利要求10所述的方法,另包括:
自第二样本晶片获得第二线上影像;
自该第二线上影像获得该对准标记图案的第二轮廓图案;以及
用该第一轮廓图案及该第二轮廓图案产生该对准标记图案的该第一合成影像。
16.如权利要求10所述的方法,其中该多个第一样本晶片分别通过不同制作工艺制作。
17.如权利要求10所述的方法,其中该多个第一样本晶片的其中至少一者与该待测晶片通过相同制作工艺制作。
18.如权利要求10所述的方法,其中该多个第一样本晶片的其中至少一者与该待测晶片通过相同制作工艺并使用相同光掩模制作。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造