[发明专利]对准晶片图案的方法在审

申请号：	202110295665.X	申请日：	2021-03-19
公开（公告）号：	CN113611650A	公开（公告）日：	2021-11-05
发明（设计）人：	刘殿寒;任茂华;白源吉;谈文毅	申请（专利权）人：	联芯集成电路制造(厦门)有限公司
主分类号：	H01L21/68	分类号：	H01L21/68;H01L21/66
代理公司：	北京市柳沈律师事务所 11105	代理人：	陈小雯
地址：	361100 福建***	国省代码：	福建;35
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摘要：
搜索关键词：	对准晶片图案方法
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【说明书】：

本发明公开一种对准晶片图案的方法，步骤包括自一第一样本晶片获得一第一线上影像，自该第一线上影像获得一对准标记图案的一第一轮廓图案，用该第一轮廓图案产生一第一合成影像，其中该第一合成影像是一黑白像素影像，以该第一合成影像为参考，识别一待测晶片上的该对准标记图案，以及根据该待测晶片上的该对准标记图案的位置以及一坐标数据，对准至该待测晶片上的一待测图案。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域。更具体而言，本发明涉及一种线上(inline)对准晶片图案的方法。

背景技术

半导体制作工艺中，为了监控制作工艺并确保形成在晶片上的图案的尺寸，通常会于制作工艺中插入测量步骤，以获得即时的线上测量数据。如何在测量步骤中正确地对准至待测图案(例如测试键图案)以进行测量，为提升生产效率及制作工艺良率的关键因素之一。

发明内容

本发明目的在于提供一种对准晶片图案的方法。更具体的说，本发明提供了一种在测量系统中设定识别晶片上的对准标记图案然后对准至待测图案以进行测量的方法。经实作验证，本发明的方法以高对比的黑白像素影像作为参考影像，可提高对准标记图案识别成功率，从而提高了测量效率，也可减少对准标记图案时识别失败时造成的线上人力除错的负担。

根据本发明一实施例提供的一种对准晶片图案的方法，步骤包括自一第一样本晶片获得一第一线上影像；自该第一线上影像获得一对准标记图案的一第一轮廓图案；用该第一轮廓图案产生一第一合成影像，其中该第一合成影像是一黑白像素影像；以该第一合成影像为参考，识别一待测晶片上的该对准标记图案；以及根据相对于该待测晶片上的该对准标记图案的位置的一坐标数据，对准至该待测晶片上的一待测图案。

根据本发明另一实施例提供的一种对准晶片图案的方法，步骤包括自多个第一样本晶片获得多个第一线上影像；自该多个第一线上影像获得一对准标记图案的一第一轮廓图案；用该第一轮廓图案产生一第一合成影像，其中该第一合成影像是一黑白像素影像；以该第一合成影像为参考，识别一待测晶片上的该对准标记图案；以及根据相对于该待测晶片上的该对准标记图案的位置的一坐标数据，对准至该待测晶片上的一待测图案。

附图说明

图1为本发明一实施例的半导体布局数据的示意图；

图2为本发明一实施例的光刻系统的示意图；

图3为本发明一实施例的测量系统的示意图；

图4、图5、图6和图7为本发明一实施例的对准晶片图案的方法的步骤示意图；

图8为本发明一实施例的对准晶片图案的方法的步骤示意图；

图9为本发明一实施例的对准晶片图案的方法的步骤流程图；

图10为本发明一实施例的对准晶片图案的方法的步骤流程图。

主要元件符号说明

100 半导体布局数据

102 芯片区

104 切割道区