[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

半导体基板；

种子层，形成在上述半导体基板上；以及

布线，形成在上述种子层上，上述布线包含拉开间隔排列的并列部分，并且在该并列部分形成沿上述并列的排列方向贯通的贯通路径。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

上述贯通路径的高度为上述布线的高度的10％以上且15％以下。

3.一种半导体装置的制造方法，包括：

在半导体基板上形成种子层的工序；

在上述种子层上涂敷抗蚀剂的工序；

在上述抗蚀剂上配置掩模部件的工序，其中，上述掩模部件具有遮光部和线状部，上述遮光部以通过表示布线的形状的布线图案使上述抗蚀剂露出的方式覆盖上述抗蚀剂的其它部分，上述线状部在俯视上述布线的形状时遍及拉开间隔排列的并列部分，覆盖上述抗蚀剂；

通过使用上述掩模部件对上述抗蚀剂进行曝光来形成抗蚀剂图案，其中，上述抗蚀剂图案开口布线图案，并且通过上述线状部在与上述并列部分对应地拉开间隔排列的抗蚀剂间在开口的底部连结成线状；

在上述抗蚀剂图案中上述种子层上的抗蚀剂被去除而开口的部位形成布线；以及

通过蚀刻，去除上述种子层。

4.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其中，

上述线状部形成为具有小于曝光机的分辨极限的宽度的一条线状。

5.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其中，

上述线状部包含多个线状体，上述多个线状体具有小于曝光机的分辨极限的宽度，并且配置成小于上述分辨极限的间隔。