[发明专利]一种Micro LED阵列器件巨量转移装置及转移方法有效
申请号: | 202110297854.0 | 申请日: | 2021-03-19 |
公开(公告)号: | CN113053793B | 公开(公告)日: | 2023-02-03 |
发明(设计)人: | 霍丽艳;滕龙;崔晓慧;吴洪浩;刘兆 | 申请(专利权)人: | 江西乾照光电有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/683;H01L25/075;H01L27/15 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 尹秀 |
地址: | 330103 江西省南*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 micro led 阵列 器件 巨量 转移 装置 方法 | ||
1.一种Micro LED阵列器件巨量转移装置,其特征在于,包括:
沿第一方向相对设置的第一磁极和第二磁极,用于产生磁场,所述磁场的方向平行于所述第一方向;
位于所述磁场中的第一载盘,所述第一载盘第一侧表面具有多个吸附元件,用于吸附Micro LED;
位于所述第一载盘上的多个上电装置,所述多个上电装置与所述多个吸附元件一一对应,在进行Micro LED转移时,用于使得被吸附在所述第一载盘第一侧表面的Micro LED带电;
位于所述第一载盘上的第一驱动装置,在进行Micro LED转移时,用于带动所述第一载盘在所述磁场中运动,其中,当所述第一驱动装置带动所述第一载盘在所述磁场中运动时,所述第一载盘的运动方向与所述磁场方向的夹角的取值范围为0°~90°,不包括0°,以使得被吸附在所述第一载盘第一侧表面的Micro LED具有脱离所述第一载盘的作用力;
位于所述磁场中的第二载盘,所述第二载盘的第一侧表面具有吸附层,且所述第二载盘的第一侧表面与所述第一载盘的第一侧表面相对,所述吸附层用于在进行Micro LED转移时,吸附转移到所述第二载盘上的Micro LED。
2.根据权利要求1所述的转移装置,其特征在于,还包括:处理元件,用于在进行MicroLED转移时,控制所述上电装置给被吸附在所述第一载盘第一侧表面的Micro LED施加电荷以及通过所述第一驱动装置控制所述第一载盘在所述磁场中的运动。
3.根据权利要求2所述的转移装置,其特征在于,在进行Micro LED转移时,所述处理元件还用于控制所述第一磁极和所述第二磁极之间形成磁场的强度。
4.根据权利要求3所述的转移装置,其特征在于,还包括:位于所述第一磁极和所述第二磁极上的第二驱动装置,在进行Micro LED转移时,所述第二驱动装置用于带动所述第一磁极和所述第二磁极运动。
5.根据权利要求2所述的转移装置,其特征在于,所述第二载盘在所述磁场中的位置固定不变,或,所述第二载盘与所述第一载盘在所述磁场中保持相对静止。
6.根据权利要求5所述的转移装置,其特征在于,还包括:位于所述第二载盘上的第三驱动装置,在进行Micro LED转移时,所述第三驱动装置用于带动所述第二载盘运动。
7.根据权利要求4所述的转移装置,其特征在于,所述处理元件还用于控制所述第一驱动装置和/或所述第二驱动装置,以在进行Micro LED转移时,调节所述第一载盘第一侧表面所在平面和所述磁场方向的夹角,其中,所述第一载盘第一侧表面所在平面和所述磁场方向的夹角的取值范围为0°~90°,不包括90°。
8.根据权利要求6所述转移装置,其特征在于,所述处理元件还用于通过所述第一驱动装置和/或所述第三驱动装置,控制所述第一载盘和所述第二载盘之间的距离,其中,所述第一载盘和所述第二载盘之间的距离为所述第一载盘与所述第二载盘之间的垂直距离。
9.根据权利要求1所述的转移装置,其特征在于,还包括:密闭真空室,所述第一磁极、所述第二磁极、所述第一载盘以及所述第二载盘位于所述密闭真空室中。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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