[发明专利]一种Micro LED阵列器件巨量转移装置及转移方法

说明书

本申请实施例公开了一种Micro LED阵列器件巨量转移装置及转移方法，该转移装置包括：第一磁极和第二磁极，用于产生磁场；位于所述磁场中的第一载盘，所述第一载盘上具有多个吸附元件、上电装置以及第一驱动装置，在进行Micro LED转移时，上电装置用于使得Micro LED带电，第一驱动装置用于带动所述第一载盘运动，所述第一载盘的运动方向与所述磁场方向的夹角的取值范围为0°～90°，不包括0°，使得Micro LED具有脱离所述第一载盘的作用力；位于所述磁场中的第二载盘，用于吸附转移后的Micro LED。本申请实施例提供的转移装置，在进行Micro LED转移时，不需要对Micro LED进行工艺处理，保证了转移过程中的Micro LED的良品率，同时还可以实现多个Micro LED的转移，具有较高的转移效率。

技术领域

本申请涉及半导体器件制造领域，尤其涉及一种Micro LED阵列器件巨量转移装置及应用于该转移装置的转移方法。

背景技术

微型发光二极管(Micro LED)由于具有亮度高、寿命长、对比度高、能耗低、视角大、分辨率高等优点，以及结构简单、体积小、自发光等优势，已经被许多厂家视为下一代显示技术而广泛应用，其中，以Micro LED阵列器件为代表的显示器件应用最为广泛。

已知在制作Micro LED阵列器件时，需要将大量的Micro LED(几万至几十万)转移到电路板上形成Micro LED阵列，以形成Micro LED阵列器件，在此过程中，需要非常高的转移效率和转移精度以及非常高的Micro LED的良品率，从而导致Micro LED巨量转移技术成为了Micro LED阵列器件研发过程中的重大挑战。因此，提供一种具有较高转移效率，并且在转移过程中还具有较高Micro LED良品率的Micro LED阵列器件巨量转移装置，成为了本领域技术人员的研究重点。

发明内容

为解决上述技术问题，本申请实施例提供了一种Micro LED阵列器件巨量转移装置，该转移装置具有较高的转移效率，并且在转移过程中还具有较高Micro LED良品率

为解决上述问题，本申请实施例提供了如下技术方案：

一种Micro LED阵列器件巨量转移装置，包括：

沿第一方向相对设置的第一磁极和第二磁极，用于产生磁场，所述磁场的方向平行于所述第一方向；

位于所述磁场中的第一载盘，所述第一载盘第一侧表面具有多个吸附元件，用于吸附Micro LED；

位于所述第一载盘上的多个上电装置，所述多个上电装置与所述多个吸附元件一一对应，在进行Micro LED转移时，用于使得被吸附在所述第一载盘第一侧表面的MicroLED带电；

位于所述第一载盘上的第一驱动装置，在进行Micro LED转移时，用于带动所述第一载盘在所述磁场中运动，其中，当所述第一驱动装置带动所述第一载盘在所述磁场中运动时，所述第一载盘的运动方向与所述磁场方向的夹角的取值范围为0°～90°，不包括0°，以使得被吸附在所述第一载盘第一侧表面的Micro LED具有脱离所述第一载盘的作用力；

位于所述磁场中的第二载盘，所述第二载盘的第一侧表面具有吸附层，且所述第二载盘的第一侧表面与所述第一载盘的第一侧表面相对，所述吸附层用于在进行MicroLED转移时，吸附转移到所述第二载盘上的Micro LED。

可选的，还包括：处理元件，用于在进行Micro LED转移时，控制所述上电装置给被吸附在所述第一载盘第一侧表面的Micro LED施加电荷以及通过所述第一驱动装置控制所述第一载盘在所述磁场中的运动。

可选的，在进行Micro LED转移时，所述处理元件还用于控制所述第一磁极和所述第二磁极之间形成磁场的强度。