[发明专利]一种中频用取向硅钢极薄带及其钢基板的制备方法有效

专利信息
申请号: 202110298309.3 申请日: 2021-03-19
公开(公告)号: CN113186381B 公开(公告)日: 2023-03-03
发明(设计)人: 刘兆月;王现辉;龚坚;胡志远;赵松山;齐杰斌;徐明舟;滕仁昊 申请(专利权)人: 首钢智新迁安电磁材料有限公司
主分类号: C21D8/12 分类号: C21D8/12;C21D1/26
代理公司: 北京华沛德权律师事务所 11302 代理人: 修雪静
地址: 064400 河北省唐*** 国省代码: 河北;13
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摘要:
搜索关键词: 一种 中频 取向 硅钢 极薄带 及其 钢基板 制备 方法
【说明书】:

发明特别涉及一种中频用取向硅钢极薄带及其钢基板的制备方法,属于硅钢极薄带制备技术领域,方法包括:将硅钢原料进行冷轧,获得硅钢薄带;将硅钢薄带进行退火,退火采用至少3段式连续退火工艺,获得钢基板;采用本法制得的钢基板制备的中频用取向硅钢极薄带具备优良的磁性能和板形,采用多段式退火,获得稳定的成品性能,制造工艺简单,可实施性高,采用无底层取向硅钢作为母材,节能环保,产品表面质量好,产品可满足中频条件下(≧400Hz)的使用要求。

技术领域

本发明属于硅钢极薄带制备技术领域,特别涉及一种中频用取向硅钢极薄带及其钢基板的制备方法。

背景技术

硅钢主要用作各种电机和变压器的铁芯材料,是电子、电力等工业中重要的核心功能材料。随硅钢厚度降低,涡流损耗不断减小,更加适用于中高频条件下应用。超薄(厚度<0.1mm)取向硅钢已广泛应用于电气设施、军工制造、精密电子等领域,其制备技术得到了国内外学者的高度重视。

目前,已报道的极薄取向硅钢的生产工艺主要包括一次再结晶法、二次再结晶法和三次再结晶法。其中一次再结晶法制备取向硅钢极薄带具有技术成熟、成本较低的优势,产品可满足一般情况下的使用需求,因此得到了较为广泛的应用。其原理为Goss取向单晶在60-70%压下率形成{111}112冷轧形变晶粒,经过退火后基体中能够形成锋锐的Goss织构。

发明内容

申请人在发明过程中发现:目前的极薄带生产工艺存在一定的问题:一次再结晶法成品Goss晶粒尺寸较小,铁损较高,因此需要增加提升晶粒尺寸,但因基体中存在少量的{114}481、{111}110取向晶粒,易发生异常长大,导致性能恶化,即退火过程中织构控制难度高,稳定性差;同时,一次再结晶法受母材影响较大,母材的组织和表面状态都会严重影响最终产品质量,母材组织和性能的微小差异,按照常规的极薄带退火工艺,最终造成极薄带磁性能波动大。

鉴于上述问题,提出了本发明以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的中频用取向硅钢极薄带的其制备方法。

本发明实施例提供了一种中频用取向硅钢极薄带的制备方法,所述方法包括:

将硅钢原料进行冷轧,获得硅钢薄带;

将所述硅钢极薄带进行退火,其中,退火采用至少3段式连续退火工艺,所述至少3段式退火工艺的前三段退火具体包括:第一段退火:将所述硅钢薄带升温至950℃-1100℃;第二段退火:将所述硅钢薄带在温度为950℃-1100℃下进行保温;第三段退火:将所述硅钢薄带降温至800℃-950℃并保温,获得钢基板。

可选的,所述将所述硅钢薄带进行退火,退火采用至少3段式连续退火工艺,获得钢基板,所述退火采用4段式连续退火工艺。

可选的,所述4段式连续退火工艺具体包括:

第一段退火:将所述硅钢薄带升温至950℃-1100℃,升温速率≥50℃/s;

第二段退火:将所述硅钢薄带在温度为950℃-1100℃下保温1s-90s;

第三段退火:将所述硅钢薄带降温至800℃-950℃,并保温30s-150s;

第四段退火:将所述硅钢薄带降温至200℃以下,降温速率<30℃/s。

可选的,所述第一段退火中,所述硅钢薄带温度小于950℃时,升温速率≥60℃/s;采用电磁感应加热。

可选的,所述硅钢原料为无底层高磁感取向硅钢。

可选的,所述无底层高磁感取向硅钢的磁感应强度B800≥1.88T,所述无底层高磁感取向硅钢的厚度为0.23mm-0.35mm。

可选的,所述硅钢薄带的厚度为0.02mm-0.15mm。

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