[发明专利]一种CFET结构、其制备方法以及应用其的半导体器件

权利要求书

1.一种CFET结构，其特征在于：包括：

衬底；

第一堆栈部，其设置在所述衬底上并且具有至少一个I型沟道结构；

第二堆栈部，其竖直地堆栈在所述第一堆栈部上，并且所述第二堆栈部具有至少一个II型沟道结构；

第一环绕式栅极结构，其设置在所述I型沟道结构周围；

第二环绕式栅极结构，其设置在所述II型沟道结构周围；

所述第一堆栈部中I型沟道结构的晶面方向垂直于第二堆栈部中II型沟道结构的晶面方向。

2.根据权利要求1所述的CEFT结构，其特征在于：第一堆栈部中I型沟道结构的晶面方向为竖直方向，第二堆栈部中II型沟道结构的晶面方向为水平方向。

3.根据权利要求1或2所述的CEFT结构，其特征在于：所述I型沟道为nFET沟道以及所述II型沟道为pFET沟道。

4.根据权利要求1或2所述的CEFT结构，其特征在于：所述I型沟道为pFET沟道以及所述II型沟道为nFET沟道。

5.根据权利要求1或2所述的CEFT结构，其特征在于：所述第一环绕式栅极结构和第二环绕式栅极结构电连接形成为互补场效应管。

6.根据权利要求1或2所述的CEFT结构，其特征在于：所述I型沟道结构由I型Si形成以及所述II沟道结构由II型Si形成。

7.根据权利要求1或2所述的CEFT结构，其特征在于：第一环绕式栅极结构包括I型金属栅功函数层；第二环绕式栅极结构包括II型金属栅功函数层。

8.根据权利要求7所述的CEFT结构，其特征在于：所述I型金属栅功函数层为TiN、TaN、TiNx、TaNx、TiNSi层或几种的复合层。

9.根据权利要求8所述的CEFT结构，其特征在于：所述II型金属栅功函数层为Al、TiAl、TiAlx、TiAlCx、TiCx、TaCx层或几种的复合层。

10.一种制备CFET器件的方法，其特征在于：包括如下步骤：

提供基底，在基底上形成基础鳍片结构，

在所示基础鳍片上形成第一堆栈部和第二堆栈部，第二堆栈部竖直地堆栈在所述第一堆栈部上；所述第一堆栈部具有至少一个I型沟道结构；所述第二堆栈部具有至少一个II型沟道结构；所述第一堆栈部中I型沟道结构的晶面方向垂直于第二堆栈部中II型沟道结构的晶面方向；

形成第一环绕式栅极结构，其设置在所述I型沟道结构周围；

形成第二环绕式栅极结构，其设置在所述II型沟道结构周围。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于：第一堆栈部中I型沟道结构的晶面方向为竖直方向，第二堆栈部中II型沟道结构的晶面方向为水平方向。

12.根据权利要求10或11所述的方法，其特征在于：所述I型沟道为nFET沟道以及所述II型沟道为pFET沟道。

13.根据权利要求10或11所述的方法，其特征在于：所述I型沟道为pFET沟道以及所述II型沟道为nFET沟道。

14.根据权利要求10或11所述的方法，其特征在于：所述第一环绕式栅极结构和第二环绕式栅极结构电连接形成为互补场效应管。

15.根据权利要求10或11所述的方法，其特征在于：所述I型沟道结构由I型Si形成以及所述II沟道结构由II型Si形成。

16.根据权利要求9或10所述的方法，其特征在于：第一环绕式栅极结构包括I型金属栅功函数层；第二环绕式栅极结构包括II型金属栅功函数层。