[发明专利]三维存储器和制备三维存储器的方法

权利要求书

1.一种制备三维存储器的方法，其特征在于，所述方法包括：

在衬底上形成包括交替叠置的牺牲层和绝缘层的叠层，并且形成穿透所述叠层的沟道结构；

去除所述牺牲层以形成牺牲间隙；

去除所述绝缘层的靠近所述牺牲间隙的部分，以减薄所述绝缘层并且加宽所述牺牲间隙；以及

在加宽的牺牲间隙中填充导电层。

2.如权利要求1所述的方法，

其中，形成所述叠层包括：交替地叠置所述牺牲层和所述绝缘层，使得所述牺牲层和所述绝缘层具有第一厚度比率，

其中，所述绝缘层被减薄为使得所述导电层与减薄的所述绝缘层具有第二厚度比率；以及

其中，所述第一厚度比率小于所述第二厚度比率。

3.如权利要求2所述的方法，其中，所述第一厚度比率在1.1-1.3之间，所述第二厚度比率在1.4-1.6之间。

4.如权利要求3所述的方法，其中，所述第一厚度比率为1.2。

5.如权利要求4所述的方法，其中，所述第二厚度比率为1.5。

6.如权利要求1所述的方法，其中，去除所述绝缘层的所述部分包括：

利用蚀刻液蚀刻所述绝缘层的所述部分；以及

控制蚀刻的时间和所述蚀刻液的浓度中的至少一者，使得具有预定厚度的所述部分被去除。

7.如权利要求1所述的方法，其中，形成所述沟道结构包括：在所述沟道孔的内壁上形成阻挡层；

其中，所述阻挡层相对于所述绝缘层具有蚀刻选择性，使得所述阻挡层在蚀刻所述绝缘层的所述部分的过程中作为蚀刻停止层。

8.如权利要求7所述的方法，其中，所述阻挡层和所述绝缘层由不同的工艺形成，使得所述阻挡层的致密性大于所述绝缘层的致密性。

9.如权利要求1所述的方法，其中，所述牺牲层的材料包括氮化物，并且所述绝缘层的材料包括氧化物。

10.一种三维存储器，其特征在于，所述三维存储器包括：

衬底；

叠层，设置在所述衬底上，并且包括交替叠置的导电层和绝缘层；以及

沟道结构，形成为穿透所述叠层并且包括阻挡层，所述阻挡层位于所述沟道结构的最外侧处，

其中，所述阻挡层的致密性大于所述绝缘层的致密性。