[发明专利]物理气相沉积反应室及其使用方法

权利要求书

1.一种物理气相沉积反应室的使用方法，其特征在于，包含：

将一基板移动至一半导体处理腔室的一基板支撑件上方，其中该基板支撑件被一沉积环环绕；

执行一沉积制程，该沉积制程通过轰击该半导体处理腔室内的一靶材，使该靶材的一材料沉积至该基板上方，其中在该沉积制程期间，该靶材的该材料沉积至该沉积环的一沉积槽内，其中该沉积材料与该沉积环的一底表面的一最小垂直距离为1.78mm至1.82mm；以及

停止该沉积制程以及将该基板移出该半导体处理腔室。

2.根据权利要求1所述的物理气相沉积反应室的使用方法，其特征在于，该沉积材料与该沉积环的一内周边表面的一最小水平距离为1.60mm至1.64mm。

3.根据权利要求1所述的物理气相沉积反应室的使用方法，其特征在于，该沉积环的该沉积槽具有一圆弧形表面，该圆弧形表面具有一曲率半径以及一曲率中心，以该曲率中心为基准，向下延伸有一垂直线，在该曲率半径和该垂直线的夹角为27度至30度处，该曲率半径和该圆弧形表面具有一交点，其中该沉积材料在该交点处与该沉积环的该底表面的一垂直距离为2.40mm至2.41mm。

4.根据权利要求3所述的物理气相沉积反应室的使用方法，其特征在于，该曲率半径为2.65mm至2.75mm。

5.一种物理气相沉积反应室的使用方法，其特征在于，包含：

将一基板移动至一半导体处理腔室一基板支撑件上方，其中该基板支撑件被一沉积环环绕；

执行一沉积制程，该沉积制程通过轰击该半导体处理腔室内的一靶材，使该靶材的一材料沉积至该基板上方，其中在该沉积制程期间，该靶材的该材料具有一第一部分沉积至该基板的一侧表面，以及一第二部分沉积至该沉积环的一沉积槽内；

调整该半导体处理腔室上方的一RF源的一功率，其中在该功率大于2000千瓦时，该材料的该第一部分与该第二部分仍保持分离；以及

停止该沉积制程以及将该基板移出该半导体处理腔室。

6.根据权利要求5所述的物理气相沉积反应室的使用方法，其特征在于，还包含：

使用一RF感应器量测该基板支撑件周围的一RF电压或一RF电流；

将量测到的该RF电压或该RF电流与一RF参考电压或一RF参考电流进行比较，若该该RF电压或该RF电流大于该RF参考电压或RF参考电流，则输出一电弧警报，其中在该功率大于2000千瓦时，并未出现该电弧警报。

7.根据权利要求5所述的物理气相沉积反应室的使用方法，其特征在于，该沉积槽的具有一水平底表面及一垂直侧表面，该水平底表面与该沉积环的一底表面的一垂直距离小于2.24mm，而该垂直侧表面与该沉积环的一内周边表面的一水平距离大于1.45mm。

8.一种物理气相沉积反应室，其特征在于，包含：

一处理腔室；

一基板支撑件，配置于该处理腔室内，并用于支撑一基板；

一沉积环，配置于在一沉积制程期间环绕该基板支撑件，该沉积环具有一内周边表面，其中该内周边表面的一内直径为294.10mm至294.20mm，该沉积环还包含至少一延伸部，该延伸部径向地向内延伸，并配置于嵌合该基板支撑件的一凹陷，其中该延伸部的一厚度为1.9mm至2.1mm；以及

一RF源，配置于该处理腔室的上方。

9.根据权利要求8所述的物理气相沉积反应室，其特征在于，该沉积环具有一沉积槽，该沉积槽具有一水平底表面及一垂直侧表面，该水平底表面与该沉积环的一底表面的一最小垂直距离为1.78mm至1.82mm，而该垂直侧表面与该沉积环的该内周边表面的一最小水平距离为1.60mm至1.64mm。

10.根据权利要求9所述的物理气相沉积反应室，其特征在于，该沉积环的该沉积槽具有一圆弧形表面，该圆弧形表面连接该水平底表面及该垂直侧表面，该圆弧形表面具有一曲率半径以及一曲率中心，以该曲率中心为基准，向下延伸有一垂直线，在该曲率半径和该垂直线的夹角为27度至30度处，该曲率半径和该圆弧形表面具有一交点，其中该交点处与该沉积环的该底表面的一垂直距离为2.40mm至2.41mm，且该曲率半径为2.65mm至2.75mm。