[发明专利]物理气相沉积反应室及其使用方法

说明书

本揭露的实施例为一种物理气相沉积反应室及其使用方法。物理气相沉积反应室的使用方法包含将基板移动至半导体处理腔室的基板支撑件上方，其中基板支撑件被沉积环环绕；执行沉积制程，沉积制程通过轰击半导体处理腔室内的靶材，使靶材的材料沉积至基板上方，其中在沉积制程期间，靶材的材料沉积至沉积环的沉积槽内，其中沉积材料与沉积环的底表面的最小垂直距离为约1.78mm至约1.82mm；以及停止沉积制程以及将基板移出半导体处理腔室。

技术领域

本揭露是关于一种物理气相沉积反应室及其使用方法。

背景技术

物理气相沉积(Physical vapor deposition；PVD)或溅射为用于制造电子元件的制程。PVD为在真空腔室中执行的电浆制程，其中负偏压的靶材暴露于具有相对重原子的惰性气体(例如，氩气(Ar))或包含此种惰性气体的气体混合物的电浆。惰性气体的离子对靶的轰击导致靶材的原子的喷射。所喷射的原子作为沉积膜累积在基板上，此基板是放置在设置于腔室内的基板支撑底座上。

发明内容

本揭露的实施例为一种物理气相沉积反应室的使用方法，包含将基板移动至半导体处理腔室的基板支撑件上方，其中基板支撑件被沉积环环绕；执行沉积制程，沉积制程通过轰击半导体处理腔室内的靶材，使靶材的材料沉积至基板上方，其中在沉积制程期间，靶材的材料沉积至沉积环的沉积槽内，其中沉积材料与沉积环的底表面的最小垂直距离为约1.78mm至约1.82mm；以及停止沉积制程以及将基板移出半导体处理腔室。

本揭露的实施例为一种物理气相沉积反应室的使用方法，包含将基板移动至半导体处理腔室的基板支撑件上方，其中基板支撑件被沉积环环绕；执行沉积制程，沉积制程通过轰击半导体处理腔室内的靶材，使靶材的材料沉积至基板上方，其中在沉积制程期间，靶材的材料具有第一部分沉积至基板的侧表面，以及第二部分沉积至沉积环的沉积槽内；调整半导体处理腔室上方的RF源的功率，其中在功率大于约2000千瓦时，材料的第一部分与第二部分仍保持分离；以及停止沉积制程以及将基板移出半导体处理腔室。

本揭露的实施例为一种物理气相沉积反应室，包含处理腔室；基板支撑件，配置于处理腔室内，并用于支撑基板；沉积环，配置于在沉积制程期间环绕基板支撑件，沉积环具有内周边表面，其中内周边表面的内直径为约294.10mm至约294.20mm，沉积环还包含至少一延伸部，延伸部径向地向内延伸，并配置于嵌合基板支撑件的凹陷，其中延伸部的厚度为约1.9mm至约2.1mm；以及RF源，配置于处理腔室的上方。

附图说明

当通过附图阅读时，自以下详细描述，最佳地理解本揭露内容的态样。注意，根据该行业中的标准实务，各种特征未按比例绘制。事实上，为了论述的清晰起见，可任意地增大或减小各种特征的尺寸。

图1为本揭露的部分实施例的半导体处理腔室的示意图；

图2A为本揭露的部分实施例的半导体处理腔室的组件的俯视图；

图2B为本揭露的部分实施例的半导体处理腔室的组件的放大图；

图2C为本揭露的部分实施例的半导体处理腔室的组件的剖面图；

图3为本揭露的部分实施例的半导体处理腔室的组件的剖面图；

图4为本揭露的部分实施例的操作半导体处理腔室的方法；

图5A至图5B为本揭露的部分实施例的半导体处理腔室的组件在不同制程步骤下的剖面图；

图6A及图6B为本揭露的部分实施例的计算机系统的示意图。

【符号说明】

100:半导体处理腔室

101:腔室主体

102:配接器

103:群集工具