[发明专利]一种低成本单面钝化接触IBC电池的制作方法

权利要求书

1.一种低成本单面钝化接触IBC电池的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)清洗制绒：

将N型硅片放置在浓度0.2％-1％的H₂O₂液中进行表面油污的清洗；在浓度为1％-2.5％NaOH液中进行硅片表面织构化处理；在HCl/HF混酸液中进行NaOH液的中和、金属离子及氧化层的清洗；完成水洗、热烘干处理；

(2)隧穿氧化层及多晶硅层制备：

将清洗完的硅片放入LPCVD设备中，在500-700℃条件下生长一层1-3nm的SiO₂；同时在550-650℃条件下生长一层本征多晶硅；

(3)正面SiNx保护层制备：

将硅片放入PECVD设备中，在硅片正面生长一层厚度40-150nm、折射率2.0-2.2的SiNx薄膜；

(4)多晶硅绕镀去除：

将制备完减反层后的硅片在1％-10％的HF溶液中清洗1-15min；经过水洗后，在浓度为5％-8％NaOH液中进行碱抛处理，去除背面绕镀的多晶硅，并对背表面进行抛光处理；在HCl/HF混酸液中进行NaOH液的中和、金属离子的清洗；热烘干处理；

(5)发射极制备：

将清洗绕镀后的硅片放置在石英舟上，在900-1050℃条件下对电池背面进行单面扩散；在HF/HCL混酸液中对硼扩散时在电池背面所形成的硼硅玻璃进行清洗；

(6)钝化层制备：

将清洗完成的硅片放入ALD设备中，在背表面生长一层Al₂O₃薄膜；

(7)掩膜制备：

将制备完钝化层的硅片放入PECVD设备中，利用PECVD法在硅片背面生长一层3-30nmSiC薄膜；

(8)背面N+区制备：

通过激光烧蚀在电池背面进行磷掺杂区的开窗，去除背表面沉积的SiC及Al₂O₃；在清洗设备中，将N型硅片放置在浓度1％-10％的HF溶液中将开槽区域残留的Al₂O₃及氧化层清洗干净；然后在浓度为1％-5％NaOH液中对背面N+区进行织构化处理；在HCl/HF混酸液中进行NaOH液的中和、金属离子及氧化层的清洗，并将正面SiNx层洗干净；在经过水洗、热烘干处理；烘干后的硅片放入，扩散炉中进行双面磷扩散，对前表面多晶硅层进行磷参杂及背面开槽区磷参杂；扩散后的硅片放入HF溶液中去除磷硅玻璃，并烘干；

(9)SiNx减反层制备：

将硅片放入PECVD设备中，首先在背面生长一层厚度1-10nm的氧化层，再生长一层40-100nm的SiNx层；在硅片正面生长一层SiNx减反层；

(10)金属化：

使用特殊银浆印刷P+区栅线，形成发射极；在200-400℃条件下进行低温烘干；使用特殊银浆印刷N+区栅线，形成负极；在700-900℃条件下进行高温烧结，使银浆与硅片形成良好欧姆接触。

2.如权利要求1所述的低成本单面钝化接触IBC电池的制作方法，其特征在于，在所述隧穿氧化层及多晶硅层制备的步骤中，隧穿氧化层的厚度为1-3nm，多晶硅层的厚度为20-60nm。

3.如权利要求1所述的低成本单面钝化接触IBC电池的制作方法，其特征在于，在所述发射极制备的步骤中，所述电池背面硼掺杂的扩散方阻为80-180Ω·cm，扩散温度为900-1050℃。

4.如权利要求1所述的低成本单面钝化接触IBC电池的制作方法，其特征在于，在所述钝化层制备的步骤中，镀膜温度为200-300℃，镀膜厚度为1-10nm。

5.如权利要求1所述的低成本单面钝化接触IBC电池的制作方法，其特征在于，在所述掩膜制备的步骤中，SiC镀膜温度为400-500℃，CH₄流量为5000-10000sccm，SiH₄流量为500-1000sccm。

6.如权利要求1所述的低成本单面钝化接触IBC电池的制作方法，其特征在于，在所述背面N+区制备的步骤中，N区激光开窗宽度为30-400um。