[发明专利]一种低成本单面钝化接触IBC电池的制作方法

说明书

本发明的目的在于公开一种低成本单面钝化接触I BC电池的制作方法，包括如下步骤：(1)清洗制绒；(2)隧穿氧化层及多晶硅层制备；(3)正面Si Nx保护层制备；(4)多晶硅绕镀去除；(5)发射极制备；(6)钝化层制备；(7)掩膜制备；(8)背面N+区制备；(9)Si Nx减反层制备；及(10)金属化；与现有技术相比，可减少传统钝化接触I BC电池工艺步骤，有效地提升电池效率的同时，降低电池生产成本，使钝化接触I BC电池获得较高的性价比，有利于该类型电池的大规模生产，实现本发明的目的。

技术领域

本发明涉及一种IBC电池的制作方法，特别涉及一种低成本单面钝化接触IBC电池的制作方法。

背景技术

IBC(Interdigitated back contact)电池由于其前表面无栅线遮挡，背面栅线设计窗口较宽，故可实现较高的转化效率。

但是，传统的钝化接触IBC电池是在电池背面N+及P+区制作隧穿氧化层和多晶硅层，减少金属复合，虽然效率较高，但是工艺复杂、电池成本较高，对电池表面钝化效果有限。

现有提出了一种使用隧穿氧化层+多晶硅的钝化方法(钝化接触)，此方法可实现优异的表面钝化效果，使电池效率大幅提升。将IBC电池与钝化接触技术相结合，可获得更高的电池转化效率。

因此，特别需要一种低成本单面钝化接触IBC电池的制作方法，以解决上述现有存在的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种低成本单面钝化接触IBC电池的制作方法，针对现有技术的不足，简化了钝化接触+IBC电池工艺的工艺步骤，背面P+区采用Al₂O₃进行钝化，在电池正面制作隧穿氧化层及多晶硅层，实现正面的钝化接触，使钝化接触IBC电池获得较高性价比。

本发明所解决的技术问题可以采用以下技术方案来实现：

一种低成本单面钝化接触IBC电池的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)清洗制绒：

将N型硅片放置在浓度0.2％-1％的H₂O₂液中进行表面油污的清洗；在浓度为1％-2.5％NaOH液中进行硅片表面织构化处理；在HCl/HF混酸液中进行NaOH液的中和、金属离子及氧化层的清洗；完成水洗、热烘干处理；

(2)隧穿氧化层及多晶硅层制备：

将清洗完的硅片放入LPCVD设备中，在500-700℃条件下生长一层1-3nm的SiO₂；同时在550-650℃条件下生长一层本征多晶硅；

(3)正面SiNx保护层制备：

将硅片放入PECVD设备中，在硅片正面生长一层厚度40-150nm、折射率2.0-2.2的SiNx薄膜；

(4)多晶硅绕镀去除：

将制备完减反层后的硅片在1％-10％的HF溶液中清洗1-15min；经过水洗后，在浓度为5％-8％NaOH液中进行碱抛处理，去除背面绕镀的多晶硅，并对背表面进行抛光处理；在HCl/HF混酸液中进行NaOH液的中和、金属离子的清洗；热烘干处理；

(5)发射极制备：

将清洗绕镀后的硅片放置在石英舟上，在900-1050℃条件下对电池背面进行单面扩散；在HF/HCL混酸液中对硼扩散时在电池背面所形成的硼硅玻璃进行清洗；

(6)钝化层制备：

将清洗完成的硅片放入ALD设备中，在背表面生长一层Al₂O₃薄膜；

(7)掩膜制备：