[发明专利]一种阵列基板的断线修补方法及阵列基板在审
| 申请号： | 202110301681.5 | 申请日： | 2021-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN113031358A | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 卿志超;余思慧 | 申请（专利权）人： | 滁州惠科光电科技有限公司;惠科股份有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/13 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 曹小翠 |
| 地址： | 239000 安徽省滁*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 阵列 断线 修补 方法 | ||
1.一种阵列基板的断线修补方法，其特征在于，包括：
在第二绝缘层上并位于第二金属层之断线位置的一侧的第一位置，以及所述第二绝缘层上并位于所述断线位置的另一侧的第二位置分别打孔，并依次击穿所述第二绝缘层、所述第二金属层和中间层，达到第一金属层时停止，形成两个通孔；
向各所述通孔中注入导电膜以形成导电膜层。
2.如权利要求1所述的一种阵列基板的断线修补方法，其特征在于：所述第二绝缘层的厚度、所述第二金属层的厚度和所述中间层的厚度之和等于或者小于所述导电膜层的厚度。
3.如权利要求2所述的一种阵列基板的断线修补方法，其特征在于：各所述导电膜层远离所述第一金属层的一端伸出所述第二绝缘层。
4.如权利要求2所述的一种阵列基板的断线修补方法，其特征在于：各所述导电膜层远离所述第二绝缘层的一端与所述第一金属层的顶面持平；
或者，各所述导电膜层远离所述第二绝缘层的一端伸入所述第一金属层中；
或者，各所述导电膜层远离所述第二绝缘层的一端与所述第一金属层的底面持平。
5.如权利要求1-4任一项所述的一种阵列基板的断线修补方法，其特征在于：各所述通孔的直径由所述第二绝缘层朝所述第一金属层的方向逐渐减小。
6.如权利要求1-4任一项所述的一种阵列基板的断线修补方法，其特征在于：所述第一位置与所述断线位置之间的距离等于所述第二位置与所述断线位置之间的距离。
7.如权利要求1-4任一项所述的一种阵列基板的断线修补方法，其特征在于：两个所述通孔在同一制程中形成。
8.如权利要求1-4任一项所述的一种阵列基板的断线修补方法，其特征在于：向各所述通孔中注入导电膜的步骤在同一制程中完成。
9.如权利要求1-4任一项所述的一种阵列基板的断线修补方法，其特征在于：所述中间层包括设于所述第一金属层上的第一绝缘层和设于所述第一绝缘层上的半导体层，所述第二金属层设于所述半导体层上。
10.阵列基板，其特征在于，由如权利要求1-9任一项所述的一种阵列基板的断线修补方法制得，所述阵列基板包括：
基板；
第一金属层，安装于所述基板上；
中间层，安装于所述第一金属层上；
第二金属层，安装于所述中间层上；
第二绝缘层，安装于所述第二金属层上；
两个导电膜层，各所述导电膜层依次贯穿所述第二绝缘层、所述第二金属层和所述中间层，并与所述第一金属层相连；
其中，所述第二金属层的断线位置位于两个所述导电膜层之间。
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