[发明专利]增大输出电压的单个晶体硅太阳能电池的制备方法

权利要求书

1.一种增大输出电压的单个晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

S1、晶体硅片(1)的前期加工：对晶体硅片(1)依次进行制绒、扩散；

S2、在晶体硅片(1)正面激光刻划制造出正面电绝缘区(2)；正面电绝缘区(2)将晶体硅片(1)划分出多个相互电绝缘的电池小单元(3)；所述正面电绝缘区(2)为刻划深度超过PN结但不贯穿晶体硅片(1)的沟槽；

S3、在需要与下一电池小单元(3)串联的电池小单元(3)上对应的负极串联导电区(5)上进行激光开孔，形成贯孔；

S4、清洗去除激光损伤：酸性刻蚀液环境中对晶体硅片(1)进行去磷硅玻璃和去除激光损伤；

S5：在晶体硅片(1)的正面和背面均制备钝化膜；

S6、在晶体硅片(1)的背面进行丝网印刷，并根据电池小单元(3)的分布，形成与电池小单元(3)一一对应的背电极(6)，并且相邻背电极(6)之间不进行丝网印刷；根据串联关系，上一电池小单元(3)上的贯孔(8)穿过晶体硅片(1)后位于下一电池小单元(3)的背电极(6)上，且上一电池小单元(2)上的主栅电极(5)、贯孔(8)内的印刷浆料和下一电池小单元(3)上的背电极(6)形成电联接，最后烘干；其中，不进行丝网印刷的区域形成背面电绝缘区(7)；

S7：在晶体硅片(1)的正面进行丝网印刷，使得晶体硅片(1)的正面形成汇流层(4)和主栅电极(5)，并且印刷浆料填充满贯孔(8)，然后烘干；

S8：烧结印刷浆料；

S9、进行测试分选。

2.根据权利要求1所述的增大输出电压的单个晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述步骤S7中，丝网印刷包括以下步骤：

A、先印刷细栅(41)和细主栅(42)，形成用于收集电子的汇流层(4)；

B、再在主栅电极区进行主栅电极(5)的印刷，印刷的同时，印刷浆料填充满贯孔(8)；

C、烘干。

3.根据权利要求1所述的增大输出电压的单个晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述印刷浆料为银浆、银铝浆或者其他导电浆料。

4.根据权利要求1所述的增大输出电压的单个晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述步骤S1中先选用P型掺杂的晶体硅片(1)。

5.根据权利要求1或2或3或4所述的增大输出电压的单个晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述步骤S2中，通过激光刻划在晶体硅片(1)上划出四个呈十字形分布的正面电绝缘区(2)，并且将晶体硅片(1)划分成四个电池小单元(3)，分别为A区、B区、C区和D区。

6.根据权利要求1或2或3或4所述的增大输出电压的单个晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述步骤S2中，通过激光刻划在晶体硅片(1)上划出多个平行且间隔设置的正面电绝缘区(2)。

7.根据权利要求1所述的增大输出电压的单个晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述步骤S5中制备钝化膜的具体步骤为：晶体硅片(1)的背面进行抛光，在抛光后的晶体硅片(1)的背面蒸镀一层Al2O3，再进入管式PECVD炉中进行双面沉积SiNx。